Collectorstroom van PNP-transistor Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte
Ic = (q*A*Nd*Dp)/Wb
Deze formule gebruikt 6 Variabelen
Variabelen gebruikt
Collectorstroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is de stroom die door de collectoraansluiting van de transistor vloeit en is de stroom die door de transistor wordt versterkt.
Aanval - (Gemeten in Coulomb) - Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.
Zenderbasisverbindingsgebied - (Gemeten in Plein Meter) - Emitter Base Junction Area is een PN-overgang gevormd tussen het zwaar gedoteerde P-type materiaal (emitter) en het licht gedoteerde N-type materiaal (basis) van de transistor.
Evenwichtsconcentratie van N-type - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De evenwichtsconcentratie van het N-type is gelijk aan de dichtheid van donoratomen, omdat de elektronen voor geleiding uitsluitend door het donoratoom worden gegeven.
Diffusieconstante voor PNP - (Gemeten in Vierkante meter per seconde) - Diffusieconstante voor PNP beschrijft hoe gemakkelijk deze minderheidsdragers door het halfgeleidermateriaal diffunderen wanneer een elektrisch veld wordt aangelegd.
Basisbreedte - (Gemeten in Meter) - De basisbreedte is een belangrijke parameter die de eigenschappen van de transistor beïnvloedt, vooral wat betreft de werking en snelheid.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Aanval: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Bekijk de conversie ​hier)
Zenderbasisverbindingsgebied: 1.75 Plein Centimeter --> 0.000175 Plein Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Evenwichtsconcentratie van N-type: 45 1 per kubieke centimeter --> 45000000 1 per kubieke meter (Bekijk de conversie ​hier)
Diffusieconstante voor PNP: 100 Vierkante centimeter per seconde --> 0.01 Vierkante meter per seconde (Bekijk de conversie ​hier)
Basisbreedte: 8 Centimeter --> 0.08 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Ic = (q*A*Nd*Dp)/Wb --> (0.005*0.000175*45000000*0.01)/0.08
Evalueren ... ...
Ic = 4.921875
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
4.921875 Ampère --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
4.921875 Ampère <-- Collectorstroom
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Rahul Gupta
Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Ritwik Tripathi
Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))
Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
Onzuiverheid met intrinsieke concentratie
​ LaTeX ​ Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
Doorbraakspanning van collector-emitter
​ LaTeX ​ Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Collectorstroom van PNP-transistor Formule

​LaTeX ​Gaan
Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte
Ic = (q*A*Nd*Dp)/Wb
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!