Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Collectorstroom = Verzadigingsstroom*e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
ic = is*e^(Vbe/Vt)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen
Gebruikte constanten
e - De constante van Napier Waarde genomen als 2.71828182845904523536028747135266249
Variabelen gebruikt
Collectorstroom - (Gemeten in Ampère) - Collectorstroom is een versterkte uitgangsstroom van een bipolaire junctie-transistor.
Verzadigingsstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsstroom is de lekstroomdichtheid van de diode bij afwezigheid van licht. Het is een belangrijke parameter die de ene diode van de andere onderscheidt.
Spanning over basis-emitterverbinding - (Gemeten in Volt) - De spanning over de basis-emitterverbinding is de voorwaartse spanning tussen de basis en de emitter van de transistor.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale gate-to-source-spanning die nodig is om een geleidend pad te creëren tussen de source- en drain-terminals.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Verzadigingsstroom: 0.01 milliampère --> 1E-05 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
Spanning over basis-emitterverbinding: 16.56 Volt --> 16.56 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 2 Volt --> 2 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
ic = is*e^(Vbe/Vt) --> 1E-05*e^(16.56/2)
Evalueren ... ...
ic = 0.039441943819803
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.039441943819803 Ampère -->39.441943819803 milliampère (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
39.441943819803 39.44194 milliampère <-- Collectorstroom
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Prahalad Singh
Jaipur Engineering College en Research Center (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 10+ rekenmachines!

Zender Volger Rekenmachines

Uitgangsweerstand van emittervolger
​ LaTeX ​ Gaan Eindige weerstand = (1/Belastingsweerstand+1/Kleine signaalspanning+1/Zenderweerstand)+(1/Basisimpedantie+1/Signaal weerstand)/(Collectorbasisstroomversterking+1)
Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert
​ LaTeX ​ Gaan Collectorstroom = Verzadigingsstroom*e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
Verzadigingsstroom van emittervolger
​ LaTeX ​ Gaan Verzadigingsstroom = Collectorstroom/e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
Ingangsweerstand van emittervolger
​ LaTeX ​ Gaan Ingangsweerstand = 1/(1/Signaalweerstand in basis+1/Basis weerstand)

Meertraps transistorversterkers Rekenmachines

Open circuit bipolaire cascode-spanningsversterking
​ LaTeX ​ Gaan Bipolaire cascode-spanningsversterking = -MOSFET primaire transconductantie*(MOSFET secundaire transconductantie*Eindige uitgangsweerstand)*(1/Eindige uitgangsweerstand van transistor 1+1/Kleine signaalingangsweerstand)^-1
Afvoerweerstand van cascodeversterker
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerweerstand = (Uitgangsspanningsversterking/(MOSFET primaire transconductantie^2*Eindige uitgangsweerstand))
Uitgangsspanningsversterking van MOS Cascode-versterker
​ LaTeX ​ Gaan Uitgangsspanningsversterking = -MOSFET primaire transconductantie^2*Eindige uitgangsweerstand*Afvoerweerstand
Equivalente weerstand van Cascode-versterker
​ LaTeX ​ Gaan Weerstand tussen afvoer en aarde = (1/Eindige uitgangsweerstand van transistor 1+1/Ingangsweerstand)^-1

Collectorstroom in actief gebied wanneer transistor als versterker fungeert Formule

​LaTeX ​Gaan
Collectorstroom = Verzadigingsstroom*e^(Spanning over basis-emitterverbinding/Drempelspanning)
ic = is*e^(Vbe/Vt)

Wat is een actieve regio?

Het actieve gebied is het gebied waarin transistors veel toepassingen hebben. Dit wordt ook wel een lineair gebied genoemd. Een transistor in deze regio gedraagt zich beter als versterker. Dit gebied ligt tussen saturatie en cutoff. De transistor werkt inactief gebied wanneer de emitterovergang voorwaarts is voorgespannen en de collectorovergang in tegengestelde richting is voorgespannen.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!