Temperatuur heeft een aanzienlijke invloed op de omgekeerde verzadigingsstroom en barrièrespanning in dunnefilmtransistors. Een temperatuurstijging resulteert doorgaans in een toename van de tegenverzadigingsstroom en een afname van de barrièrespanning. Dit komt omdat hogere temperaturen leiden tot verhoogde gaskinetische energie, wat de injectie van ladingsdragers in het uitputtingsgebied van de transistor kan vergemakkelijken.