CMOS kritische spanning Rekenmachine

✖Kritisch elektrisch veld wordt gedefinieerd als de elektrische kracht per ladingseenheid.ⓘ Kritisch elektrisch veld [E_c]			+10% -10%
✖Mean Free Path wordt gedefinieerd als de gemiddelde afstand die een bewegend deeltje aflegt tussen opeenvolgende botsingen, waardoor de richting, energie of andere deeltjeseigenschappen worden gewijzigd.ⓘ Bedoel vrij pad [L]			+10% -10%

✖Kritieke spanning in CMOS is de minimale fase ten opzichte van de neutrale spanning die gloeit en langs de hele lijngeleider verschijnt.ⓘ CMOS kritische spanning [V_c]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

CMOS kritische spanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad
V_c = E_c*L
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Kritische spanning in CMOS - (Gemeten in Volt) - Kritieke spanning in CMOS is de minimale fase ten opzichte van de neutrale spanning die gloeit en langs de hele lijngeleider verschijnt.
Kritisch elektrisch veld - (Gemeten in Volt per meter) - Kritisch elektrisch veld wordt gedefinieerd als de elektrische kracht per ladingseenheid.
Bedoel vrij pad - (Gemeten in Meter) - Mean Free Path wordt gedefinieerd als de gemiddelde afstand die een bewegend deeltje aflegt tussen opeenvolgende botsingen, waardoor de richting, energie of andere deeltjeseigenschappen worden gewijzigd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Kritisch elektrisch veld: 0.004 Volt per millimeter --> 4 Volt per meter (Bekijk de conversie hier)
Bedoel vrij pad: 697.57 Millimeter --> 0.69757 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_c = E_c*L --> 4*0.69757

Evalueren ... ...

V_c = 2.79028

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.79028 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.79028 Volt <-- Kritische spanning in CMOS

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » CMOS kritische spanning

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

CMOS kritische spanning

LaTeX Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad

CMOS betekent vrij pad

LaTeX Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld

Breedte van bronverspreiding

LaTeX Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron

Gebied van bronverspreiding

LaTeX Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Bekijk meer >>

CMOS kritische spanning Formule

LaTeX Gaan

Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad
V_c = E_c*L

Wat is mobiliteitsdegradatie?

Een hoge spanning aan de gate van de transistor trekt de dragers naar de rand van het kanaal, waardoor botsingen met de oxide-interface ontstaan die de dragers vertragen. Dit wordt mobiliteitsdegradatie genoemd.

Wat is snelheidsverzadiging?

Dragers benaderen een maximale snelheid vsat wanneer hoge velden worden toegepast. Dit fenomeen wordt snelheidsverzadiging genoemd.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!