Kanaal weerstand Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)
Rch = Lt/Wt*1/(μn*Qon)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen
Variabelen gebruikt
Kanaal weerstand - (Gemeten in Ohm) - Kanaalweerstand verwijst naar de weerstand die wordt geboden door het halfgeleidermateriaal in het kanaal waardoor de stroom tussen de source- en drainterminals stroomt.
Lengte van de transistor - (Gemeten in Meter) - Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Transistorbreedte - (Gemeten in Meter) - Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.
Elektronenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Elektronenmobiliteit beschrijft hoe snel elektronen door het materiaal kunnen bewegen als reactie op een elektrisch veld.
Dragerdichtheid - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dragerdichtheid verwijst naar het aantal ladingsdragers (elektronen of gaten) dat aanwezig is in het halfgeleiderkanaal.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Lengte van de transistor: 3.2 Micrometer --> 3.2E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Transistorbreedte: 5.5 Micrometer --> 5.5E-06 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Elektronenmobiliteit: 30 Vierkante meter per volt per seconde --> 30 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Dragerdichtheid: 0.0056 Elektronen per kubieke meter --> 0.0056 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Rch = Lt/Wt*1/(μn*Qon) --> 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056)
Evalueren ... ...
Rch = 3.46320346320346
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
3.46320346320346 Ohm --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
3.46320346320346 3.463203 Ohm <-- Kanaal weerstand
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

MOS IC-fabricage Rekenmachines

Lichaamseffect in MOSFET
​ LaTeX ​ Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))
Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied
​ LaTeX ​ Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)
Kanaal weerstand
​ LaTeX ​ Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)
MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie
​ LaTeX ​ Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kanaal weerstand Formule

​LaTeX ​Gaan
Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)
Rch = Lt/Wt*1/(μn*Qon)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!