✖Poortcapaciteit is de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.ⓘ Poortcapaciteit [C_g]			+10% -10%
✖Gate-to-channel-spanning wordt gedefinieerd als de weerstand van de drain-source-aan-toestand groter is dan de nominale waarde wanneer de gate-spanning rond de drempelspanning ligt.ⓘ Poort naar kanaalspanning [V_gc]			+10% -10%
✖De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.ⓘ Drempelspanning [V_t]			+10% -10%

✖Kanaallading wordt gedefinieerd als de kracht die wordt ervaren door een materie, wanneer deze in een elektromagnetisch veld wordt geplaatst.ⓘ Kanaallading [Q_ch]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Kanaallading

Formule

`"Q"_{"ch"} = "C"_{"g"}*("V"_{"gc"}-"V"_{"t"})`

Voorbeeld

`"0.400043mC"="59.61μF"*("7.011V"-"0.3V")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Kanaallading Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Q_ch = C_g*(V_gc-V_t)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Kanaalkosten - (Gemeten in Coulomb) - Kanaallading wordt gedefinieerd als de kracht die wordt ervaren door een materie, wanneer deze in een elektromagnetisch veld wordt geplaatst.
Poortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Poortcapaciteit is de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.
Poort naar kanaalspanning - (Gemeten in Volt) - Gate-to-channel-spanning wordt gedefinieerd als de weerstand van de drain-source-aan-toestand groter is dan de nominale waarde wanneer de gate-spanning rond de drempelspanning ligt.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Poortcapaciteit: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)
Poort naar kanaalspanning: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Q_ch = C_g*(V_gc-V_t) --> 5.961E-05*(7.011-0.3)

Evalueren ... ...

Q_ch = 0.00040004271

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00040004271 Coulomb -->0.40004271 Millicoulomb (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.40004271 ≈ 0.400043 Millicoulomb <-- Kanaalkosten

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Kanaallading

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI

Gaan Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied = -(1-((Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron+Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer)/(2*Kanaallengte)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Acceptorconcentratie*abs(2*Oppervlaktepotentieel))

Lichaamseffectcoëfficiënt

Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

Verbinding Ingebouwde spanning VLSI

Gaan Junction Ingebouwde spanning = ([BoltZ]*Temperatuur/[Charge-e])*ln(Acceptorconcentratie*Donorconcentratie/(Intrinsieke concentratie)^2)

PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI

Gaan Pn-verbindingsdepletiediepte met bron = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Junction Ingebouwde spanning)/([Charge-e]*Acceptorconcentratie))

Totale bronparasitaire capaciteit

Gaan Bron Parasitaire capaciteit = (Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron*Gebied van bronverspreiding)+(Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand*Zijwandomtrek van brondiffusie)

Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI

Gaan Korte kanaalverzadigingsstroom = Kanaalbreedte*Verzadiging Elektronendriftsnelheid*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Verzadigingsafvoer Bronspanning

Junction Current

Gaan Verbindingsstroom = (Statische kracht/Basiscollectorspanning)-(Subdrempelstroom+Betwisting actueel+Poortstroom)

Oppervlakte Potentieel

Gaan Oppervlaktepotentieel = 2*Bron Lichaamspotentieelverschil*ln(Acceptorconcentratie/Intrinsieke concentratie)

DIBL-coëfficiënt

Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt

Gaan Drempelspanning DIBL = DIBL-coëfficiënt*Afvoer naar bronpotentieel+Drempelspanning

Subdrempel Helling

Gaan Helling onder de drempel = Bron Lichaamspotentieelverschil*DIBL-coëfficiënt*ln(10)

Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit

Gaan Poortlengte = Poortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Poortbreedte)

Gate-oxidecapaciteit

Gaan Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)

Poortcapaciteit

Gaan Poortcapaciteit = Kanaalkosten/(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Drempelspanning

Gaan Drempelspanning = Poort naar kanaalspanning-(Kanaalkosten/Poortcapaciteit)

Kanaallading

Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI

Gaan Oxidecapaciteit na volledige schaling = Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid*Schaalfactor

Kritieke spanning

Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI

Gaan Verbindingsdiepte na volledige schaling = Verbindingsdiepte/Schaalfactor

Intrinsieke poortcapaciteit

Gaan MOS-poortoverlappingscapaciteit = MOS-poortcapaciteit*Overgangsbreedte

Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI

Gaan Gate-oxidedikte na volledige schaling = Poortoxidedikte/Schaalfactor

Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaalbreedte na volledige schaling = Kanaalbreedte/Schaalfactor

Kanaallengte na volledige schaling VLSI

Gaan Kanaallengte na volledige schaling = Kanaallengte/Schaalfactor

Mobiliteit in Mosfet

Gaan Mobiliteit in MOSFET = K Prime/Capaciteit van Gate Oxide Layer

K-Prime

Gaan K Prime = Mobiliteit in MOSFET*Capaciteit van Gate Oxide Layer

Kanaallading Formule

Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Q_ch = C_g*(V_gc-V_t)

Hoe wordt het lange kanaalmodel afgeleid?

Het lange-kanaalmodel is afgeleid met betrekking tot de stroom en spanning (IV) voor een nMOS-transistor in elk van de cutoff- of subthreshold-, lineaire en verzadigingsgebieden. Het model gaat ervan uit dat de kanaallengte zo lang is dat het laterale elektrische veld (het veld tussen source en drain) relatief laag is, wat bij nanometer-apparaten niet meer het geval is. Dit model staat ook wel bekend als het lange-kanaal-, ideaal-, eerste-orde- of Shockley-model.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!