KGV rekenmachine

Kanaallading Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

VLSI-fabricage Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

VLSI-materiaaloptimalisatie Analoog VLSI-ontwerp

✖Poortcapaciteit is de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.ⓘ Poortcapaciteit [C_g]			+10% -10%
✖Gate-to-channel-spanning wordt gedefinieerd als de weerstand van de drain-source-aan-toestand groter is dan de nominale waarde wanneer de gate-spanning rond de drempelspanning ligt.ⓘ Poort naar kanaalspanning [V_gc]			+10% -10%
✖De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.ⓘ Drempelspanning [V_t]			+10% -10%

✖Kanaallading wordt gedefinieerd als de kracht die wordt ervaren door een materie, wanneer deze in een elektromagnetisch veld wordt geplaatst.ⓘ Kanaallading [Q_ch]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Kanaallading Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Q_ch = C_g*(V_gc-V_t)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Kanaalkosten - (Gemeten in Coulomb) - Kanaallading wordt gedefinieerd als de kracht die wordt ervaren door een materie, wanneer deze in een elektromagnetisch veld wordt geplaatst.
Poortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Poortcapaciteit is de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.
Poort naar kanaalspanning - (Gemeten in Volt) - Gate-to-channel-spanning wordt gedefinieerd als de weerstand van de drain-source-aan-toestand groter is dan de nominale waarde wanneer de gate-spanning rond de drempelspanning ligt.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Poortcapaciteit: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)
Poort naar kanaalspanning: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Geen conversie vereist
Drempelspanning: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Q_ch = C_g*(V_gc-V_t) --> 5.961E-05*(7.011-0.3)

Evalueren ... ...

Q_ch = 0.00040004271

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00040004271 Coulomb -->0.40004271 Millicoulomb (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.40004271 ≈ 0.400043 Millicoulomb <-- Kanaalkosten

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » VLSI-fabricage » VLSI-materiaaloptimalisatie » Kanaallading

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt

LaTeX Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))

DIBL-coëfficiënt

LaTeX Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel

Kanaallading

LaTeX Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)

Kritieke spanning

LaTeX Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Bekijk meer >>

Kanaallading Formule

LaTeX Gaan

Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Q_ch = C_g*(V_gc-V_t)

Hoe wordt het lange kanaalmodel afgeleid?

Het lange-kanaalmodel is afgeleid met betrekking tot de stroom en spanning (IV) voor een nMOS-transistor in elk van de cutoff- of subthreshold-, lineaire en verzadigingsgebieden. Het model gaat ervan uit dat de kanaallengte zo lang is dat het laterale elektrische veld (het veld tussen source en drain) relatief laag is, wat bij nanometer-apparaten niet meer het geval is. Dit model staat ook wel bekend als het lange-kanaal-, ideaal-, eerste-orde- of Shockley-model.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!