Celcapaciteit Rekenmachine

✖Bitcapaciteit is de capaciteit van één bit in cmos vlsi.ⓘ Beetje capaciteit [C_bit]			+10% -10%
✖Voltage Swing on Bitline wordt gedefinieerd als een full-swing lokale bitline SRAM-architectuur, die is gebaseerd op de 22 nm FinFET-technologie voor werking op laagspanning.ⓘ Spanningsschommeling op bitline [ΔV]			+10% -10%
✖De positieve spanning wordt gedefinieerd als de spanning die wordt berekend wanneer het circuit op de voeding wordt aangesloten. Dit wordt meestal Vdd of voeding van het circuit genoemd.ⓘ Positieve spanning [V_dd]			+10% -10%

✖Celcapaciteit is de capaciteit van individuele cellen.ⓘ Celcapaciteit [C_cell]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Array Datapath-subsysteem Formules Pdf PDF Image

Celcapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Celcapaciteit = (Beetje capaciteit*2*Spanningsschommeling op bitline)/(Positieve spanning-(Spanningsschommeling op bitline*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Celcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Celcapaciteit is de capaciteit van individuele cellen.
Beetje capaciteit - (Gemeten in Farad) - Bitcapaciteit is de capaciteit van één bit in cmos vlsi.
Spanningsschommeling op bitline - (Gemeten in Volt) - Voltage Swing on Bitline wordt gedefinieerd als een full-swing lokale bitline SRAM-architectuur, die is gebaseerd op de 22 nm FinFET-technologie voor werking op laagspanning.
Positieve spanning - (Gemeten in Volt) - De positieve spanning wordt gedefinieerd als de spanning die wordt berekend wanneer het circuit op de voeding wordt aangesloten. Dit wordt meestal Vdd of voeding van het circuit genoemd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Beetje capaciteit: 12.38 Picofarad --> 1.238E-11 Farad (Bekijk de conversie hier)
Spanningsschommeling op bitline: 0.42 Volt --> 0.42 Volt Geen conversie vereist
Positieve spanning: 2.58 Volt --> 2.58 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2)) --> (1.238E-11*2*0.42)/(2.58-(0.42*2))

Evalueren ... ...

C_cell = 5.97655172413793E-12

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

5.97655172413793E-12 Farad -->5.97655172413793 Picofarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

5.97655172413793 ≈ 5.976552 Picofarad <-- Celcapaciteit

(Berekening voltooid in 00.007 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Array Datapath-subsysteem » Celcapaciteit

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Array Datapath-subsysteem Rekenmachines

Grondcapaciteit

LaTeX Gaan Grondcapaciteit = ((Agressieve spanning*Aangrenzende capaciteit)/Slachtofferspanning)-Aangrenzende capaciteit

'XOR'-vertraging

LaTeX Gaan XOR-vertraging = Rimpel tijd-(Voortplantingsvertraging+(Poorten op kritiek pad-1)*EN-OF Poortvertraging)

Carry-Ripple Adder Kritieke padvertraging

LaTeX Gaan Rimpel tijd = Voortplantingsvertraging+(Poorten op kritiek pad-1)*EN-OF Poortvertraging+XOR-vertraging

N-Bit Carry-Skip-opteller

LaTeX Gaan N-bit Carry Skip-opteller = N-ingang EN-poort*K-ingang EN-poort

Bekijk meer >>

Celcapaciteit Formule

LaTeX Gaan

Celcapaciteit = (Beetje capaciteit*2*Spanningsschommeling op bitline)/(Positieve spanning-(Spanningsschommeling op bitline*2))
C_cell = (C_bit*2*ΔV)/(V_dd-(ΔV*2))

Hoe variëren verschillende capaciteiten in dynamisch RAM of DRAM?

De DRAM-condensator Ccel moet fysiek zo klein mogelijk zijn om een goede dichtheid te bereiken. De bitlijn staat echter in contact met veel DRAM-cellen en heeft een relatief grote capaciteit Cbit. Daarom is de celcapaciteit typisch veel kleiner dan de bitlijncapaciteit. een grote celcapaciteit is belangrijk om een redelijke spanningszwaai te verschaffen. Het is ook nodig om de inhoud van de cel gedurende een acceptabele lange tijd vast te houden en om zachte fouten te minimaliseren.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!