KGV van drie getallen

Levensduur van de drager Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Solid State-apparaten Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Energieband en ladingdrager Elektronen en gaten Halfgeleider dragers SSD-knooppunt

✖Proportionaliteit voor recombinatie wordt aangegeven met het symbool αr.ⓘ Evenredigheid voor recombinatie [α_r]			+10% -10%
✖Gatenconcentratie in Valance Band verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan gaten in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.ⓘ Gaten Concentratie in Valance Band [p₀]			+10% -10%
✖Elektronenconcentratie in geleidingsband verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan vrije elektronen die beschikbaar zijn voor geleiding in de geleidingsband van een halfgeleidermateriaal.ⓘ Elektronenconcentratie in geleidingsband [n₀]			+10% -10%

✖Carrier Lifetime wordt gedefinieerd als de gemiddelde tijd die een minderheidsdrager nodig heeft om te recombineren.ⓘ Levensduur van de drager [T_a]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Energieband en ladingdrager Formules Pdf PDF Image

Levensduur van de drager Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))
T_a = 1/(α_r*(p₀+n₀))
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Levensduur vervoerder - (Gemeten in Seconde) - Carrier Lifetime wordt gedefinieerd als de gemiddelde tijd die een minderheidsdrager nodig heeft om te recombineren.
Evenredigheid voor recombinatie - (Gemeten in Kubieke meter per seconde) - Proportionaliteit voor recombinatie wordt aangegeven met het symbool αr.
Gaten Concentratie in Valance Band - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Gatenconcentratie in Valance Band verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan gaten in de valentieband van een halfgeleidermateriaal.
Elektronenconcentratie in geleidingsband - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Elektronenconcentratie in geleidingsband verwijst naar de hoeveelheid of overvloed aan vrije elektronen die beschikbaar zijn voor geleiding in de geleidingsband van een halfgeleidermateriaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Evenredigheid voor recombinatie: 1.2E-06 Kubieke meter per seconde --> 1.2E-06 Kubieke meter per seconde Geen conversie vereist
Gaten Concentratie in Valance Band: 230000000000 1 per kubieke meter --> 230000000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Elektronenconcentratie in geleidingsband: 14000000 1 per kubieke meter --> 14000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

T_a = 1/(α_r*(p₀+n₀)) --> 1/(1.2E-06*(230000000000+14000000))

Evalueren ... ...

T_a = 3.62296787731761E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.62296787731761E-06 Seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

3.62296787731761E-06 ≈ 3.6E-6 Seconde <-- Levensduur vervoerder

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Solid State-apparaten » Energieband en ladingdrager » Levensduur van de drager

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Energieband en ladingdrager Rekenmachines

Energie van Electron gegeven Coulomb's Constante

LaTeX Gaan Energie van Electron = (Kwantum nummer^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Potentiële putlengte^2)

Constante elektronenconcentratie

LaTeX Gaan Steady State Carrier-concentratie = Elektronenconcentratie in geleidingsband+Overmatige dragerconcentratie

Valentieband energie

LaTeX Gaan Valentieband energie = Geleidingsband energie-Energie kloof

Energiekloof

LaTeX Gaan Energie kloof = Geleidingsband energie-Valentieband energie

Bekijk meer >>

< Halfgeleider dragers Rekenmachines

Distributiecoëfficiënt

LaTeX Gaan Verdelingscoëfficiënt = Onzuiverheidsconcentratie in vaste stof/Onzuiverheidsconcentratie in vloeistof

Fermi-functie

LaTeX Gaan Fermi-functie = Elektronenconcentratie in geleidingsband/Effectieve staatsdichtheid in geleidingsband

Foto-elektronen energie

LaTeX Gaan Foto-elektronen energie = [hP]*Frequentie van invallend licht

Geleidingsband energie

LaTeX Gaan Geleidingsband energie = Energie kloof+Valentieband energie

Bekijk meer >>

Levensduur van de drager Formule

LaTeX Gaan

Levensduur vervoerder = 1/(Evenredigheid voor recombinatie*(Gaten Concentratie in Valance Band+Elektronenconcentratie in geleidingsband))
T_a = 1/(α_r*(p₀+n₀))

Hoe meet je de levensduur van een vervoerder?

Traditioneel worden directe elektrische metingen van de levensduur van minderheidsdragers gedaan met behulp van gelijkstroom (DC) fotogeleidend verval (PCD) metingen, terwijl niet-invasieve, contactloze levensduurmetingen worden gedaan met behulp van in de tijd opgeloste microgolfreflectie (TMR) of tijdopgeloste fotoluminescentie (TRPL).

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!