Gate-oxidecapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)
Cox = Cg/(Wg*Lg)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen
Variabelen gebruikt
Capaciteit van Gate Oxide Layer - (Gemeten in Farad per vierkante meter) - De capaciteit van de poortoxidelaag wordt gedefinieerd als de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.
Poortcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Poortcapaciteit is de capaciteit van de poortaansluiting van een veldeffecttransistor.
Poortbreedte - (Gemeten in Meter) - Poortbreedte verwijst naar de afstand tussen de rand van een metalen poortelektrode en het aangrenzende halfgeleidermateriaal in een CMOS.
Poortlengte - (Gemeten in Meter) - Poortlengte is de maat of omvang van iets van begin tot eind.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Poortcapaciteit: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Bekijk de conversie ​hier)
Poortbreedte: 0.285 Millimeter --> 0.000285 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
Poortlengte: 7.01 Millimeter --> 0.00701 Meter (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Cox = Cg/(Wg*Lg) --> 5.961E-05/(0.000285*0.00701)
Evalueren ... ...
Cox = 29.8370748554696
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
29.8370748554696 Farad per vierkante meter -->29.8370748554696 Microfarad per vierkante millimeter (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
29.8370748554696 29.83707 Microfarad per vierkante millimeter <-- Capaciteit van Gate Oxide Layer
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines

Lichaamseffectcoëfficiënt
​ LaTeX ​ Gaan Lichaamseffectcoëfficiënt = modulus((Drempelspanning-Drempelspanning DIBL)/(sqrt(Oppervlaktepotentieel+(Bron Lichaamspotentieelverschil))-sqrt(Oppervlaktepotentieel)))
DIBL-coëfficiënt
​ LaTeX ​ Gaan DIBL-coëfficiënt = (Drempelspanning DIBL-Drempelspanning)/Afvoer naar bronpotentieel
Kanaallading
​ LaTeX ​ Gaan Kanaalkosten = Poortcapaciteit*(Poort naar kanaalspanning-Drempelspanning)
Kritieke spanning
​ LaTeX ​ Gaan Kritische spanning = Kritisch elektrisch veld*Elektrisch veld over de kanaallengte

Gate-oxidecapaciteit Formule

​LaTeX ​Gaan
Capaciteit van Gate Oxide Layer = Poortcapaciteit/(Poortbreedte*Poortlengte)
Cox = Cg/(Wg*Lg)

Wat zijn de werkgebieden in MOS-transistors?

MOS-transistors hebben drie werkgebieden. Ze zijn Cutoff of subthreshold region, Linear region en Saturation region.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!