Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Percentage aandeel
Onjuiste fractie
GGD van twee getallen
Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Meer >>
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Meer >>
⤿
VLSI-fabricage
Analoge communicatie
Analoge elektronica
Antenne- en golfvoortplanting
Meer >>
⤿
VLSI-materiaaloptimalisatie
Analoog VLSI-ontwerp
✖
Laterale omvang van uitputtingsgebied met bron de horizontale afstand waarover het uitputtingsgebied zich zijdelings uitstrekt vanaf de bronterminal in een halfgeleiderapparaat.
ⓘ
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron [ΔL
s
]
Angstrom
astronomische eenheid
Centimeter
decimeter
Equatoriale straal aarde
fermi
Voet
duim
Kilometer
Lichtjaar
Meter
Microinch
Micrometer
Micron
Mijl
Millimeter
Nanometer
picometer
Yard
+10%
-10%
✖
Laterale omvang van uitputtingsgebied met afvoer de horizontale afstand waarover het uitputtingsgebied zich zijdelings uitstrekt vanaf de afvoeraansluiting in een halfgeleiderapparaat.
ⓘ
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer [ΔL
D
]
Angstrom
astronomische eenheid
Centimeter
decimeter
Equatoriale straal aarde
fermi
Voet
duim
Kilometer
Lichtjaar
Meter
Microinch
Micrometer
Micron
Mijl
Millimeter
Nanometer
picometer
Yard
+10%
-10%
✖
Kanaallengte verwijst naar de fysieke lengte van het halfgeleidermateriaal tussen de source- en drain-terminals binnen de transistorstructuur.
ⓘ
Kanaallengte [L]
Angstrom
astronomische eenheid
Centimeter
decimeter
Equatoriale straal aarde
fermi
Voet
duim
Kilometer
Lichtjaar
Meter
Microinch
Micrometer
Micron
Mijl
Millimeter
Nanometer
picometer
Yard
+10%
-10%
✖
Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
ⓘ
Acceptorconcentratie [N
A
]
1 per kubieke centimeter
1 per kubieke meter
per liter
+10%
-10%
✖
Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.
ⓘ
Oppervlaktepotentieel [Φ
s
]
Kilovolt
Megavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Planck Voltage
Volt
+10%
-10%
✖
De ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied wordt gedefinieerd als de elektrische lading per oppervlakte-eenheid geassocieerd met het uitputtingsgebied in de bulk van een halfgeleiderapparaat.
ⓘ
Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI [Q
B0
]
Abcoulomb per vierkante meter
Coulomb per vierkante centimeter
Coulomb per vierkante inch
Coulomb per vierkante meter
Microcoulomb per vierkante centimeter
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI
Formule
Q
B0
=
-
(
1
-
(
ΔL
s
+
ΔL
D
2
⋅
L
)
)
⋅
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
[Permitivity-vacuum]
⋅
N
A
⋅
|
2
⋅
Φ
s
|
Voorbeeld
-0.200558 μC/cm²
=
-
(
1
-
(
0.1 μm
+
0.2 μm
2
⋅
2.5 μm
)
)
⋅
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
[Permitivity-vacuum]
⋅
1e+16 /cm³
⋅
|
2
⋅
6.86 V
|
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden Elektronica Formule Pdf
Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied
= -(1-((
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron
+
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer
)/(2*
Kanaallengte
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Acceptorconcentratie
*
abs
(2*
Oppervlaktepotentieel
))
Q
B0
= -(1-((
ΔL
s
+
ΔL
D
)/(2*
L
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
N
A
*
abs
(2*
Φ
s
))
Deze formule gebruikt
3
Constanten
,
2
Functies
,
6
Variabelen
Gebruikte constanten
[Permitivity-silicon]
- Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Permitivity-vacuum]
- Permittiviteit van vacuüm Waarde genomen als 8.85E-12
[Charge-e]
- Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Functies die worden gebruikt
sqrt
- Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
abs
- De absolute waarde van een getal is de afstand tot nul op de getallenlijn. Het is altijd een positieve waarde, omdat het de grootte van een getal vertegenwoordigt zonder rekening te houden met de richting ervan., abs(Number)
Variabelen gebruikt
Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied
-
(Gemeten in Coulomb per vierkante meter)
- De ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied wordt gedefinieerd als de elektrische lading per oppervlakte-eenheid geassocieerd met het uitputtingsgebied in de bulk van een halfgeleiderapparaat.
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron
-
(Gemeten in Meter)
- Laterale omvang van uitputtingsgebied met bron de horizontale afstand waarover het uitputtingsgebied zich zijdelings uitstrekt vanaf de bronterminal in een halfgeleiderapparaat.
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer
-
(Gemeten in Meter)
- Laterale omvang van uitputtingsgebied met afvoer de horizontale afstand waarover het uitputtingsgebied zich zijdelings uitstrekt vanaf de afvoeraansluiting in een halfgeleiderapparaat.
Kanaallengte
-
(Gemeten in Meter)
- Kanaallengte verwijst naar de fysieke lengte van het halfgeleidermateriaal tussen de source- en drain-terminals binnen de transistorstructuur.
Acceptorconcentratie
-
(Gemeten in 1 per kubieke meter)
- Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Oppervlaktepotentieel
-
(Gemeten in Volt)
- Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron:
0.1 Micrometer --> 1E-07 Meter
(Bekijk de conversie
hier
)
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer:
0.2 Micrometer --> 2E-07 Meter
(Bekijk de conversie
hier
)
Kanaallengte:
2.5 Micrometer --> 2.5E-06 Meter
(Bekijk de conversie
hier
)
Acceptorconcentratie:
1E+16 1 per kubieke centimeter --> 1E+22 1 per kubieke meter
(Bekijk de conversie
hier
)
Oppervlaktepotentieel:
6.86 Volt --> 6.86 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Q
B0
= -(1-((ΔL
s
+ΔL
D
)/(2*L)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*N
A
*abs(2*Φ
s
)) -->
-(1-((1E-07+2E-07)/(2*2.5E-06)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*1E+22*
abs
(2*6.86))
Evalueren ... ...
Q
B0
= -0.00200557851391776
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
-0.00200557851391776 Coulomb per vierkante meter -->-0.200557851391776 Microcoulomb per vierkante centimeter
(Bekijk de conversie
hier
)
DEFINITIEVE ANTWOORD
-0.200557851391776
≈
-0.200558 Microcoulomb per vierkante centimeter
<--
Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
VLSI-fabricage
»
VLSI-materiaaloptimalisatie
»
Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI
Credits
Gemaakt door
Prijanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek
(LDCE)
,
Ahmedabad
Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines
Lichaamseffectcoëfficiënt
Gaan
Lichaamseffectcoëfficiënt
=
modulus
((
Drempelspanning
-
Drempelspanning DIBL
)/(
sqrt
(
Oppervlaktepotentieel
+(
Bron Lichaamspotentieelverschil
))-
sqrt
(
Oppervlaktepotentieel
)))
DIBL-coëfficiënt
Gaan
DIBL-coëfficiënt
= (
Drempelspanning DIBL
-
Drempelspanning
)/
Afvoer naar bronpotentieel
Kanaallading
Gaan
Kanaalkosten
=
Poortcapaciteit
*(
Poort naar kanaalspanning
-
Drempelspanning
)
Kritieke spanning
Gaan
Kritische spanning
=
Kritisch elektrisch veld
*
Elektrisch veld over de kanaallengte
Bekijk meer >>
Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI Formule
Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied
= -(1-((
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron
+
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer
)/(2*
Kanaallengte
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Acceptorconcentratie
*
abs
(2*
Oppervlaktepotentieel
))
Q
B0
= -(1-((
ΔL
s
+
ΔL
D
)/(2*
L
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
N
A
*
abs
(2*
Φ
s
))
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!