Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Percentage stijging
Gemengde fractie
GGD rekenmachine
Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Meer >>
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Meer >>
⤿
Analoge elektronica
Analoge communicatie
Antenne- en golfvoortplanting
CMOS-ontwerp en toepassingen
Meer >>
⤿
MOSFET
BJT
⤿
MOS-transistor
Common Mode-afwijzingsratio (CMRR)
Huidig
Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model
Meer >>
✖
Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
ⓘ
Dopingconcentratie van acceptor [N
A
]
Elektronen per kubieke centimeter
Elektronen per kubieke meter
+10%
-10%
✖
Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.
ⓘ
Bulk Fermi-potentieel [Φ
f
]
Kilovolt
Megavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Planck Voltage
Volt
+10%
-10%
✖
Ingebouwde spanning is een karakteristieke spanning die over een halfgeleiderapparaat bestaat.
ⓘ
Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio [Φ
B0
]
Kilovolt
Megavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Planck Voltage
Volt
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio
Formule
Φ
B0
=
-
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
N
A
⋅
mod
u
̲
s
(
-
2
⋅
Φ
f
)
)
Voorbeeld
-1.6E-6 V
=
-
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
1.32 electrons/cm³
⋅
mod
u
̲
s
(
-
2
⋅
0.25 V
)
)
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden MOSFET Formule Pdf
Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Ingebouwde spanning
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingconcentratie van acceptor
*
modulus
(-2*
Bulk Fermi-potentieel
)))
Φ
B0
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(-2*
Φ
f
)))
Deze formule gebruikt
2
Constanten
,
2
Functies
,
3
Variabelen
Gebruikte constanten
[Permitivity-silicon]
- Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e]
- Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
Functies die worden gebruikt
sqrt
- Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
modulus
- De modulus van een getal is de rest wanneer dat getal wordt gedeeld door een ander getal., modulus
Variabelen gebruikt
Ingebouwde spanning
-
(Gemeten in Volt)
- Ingebouwde spanning is een karakteristieke spanning die over een halfgeleiderapparaat bestaat.
Dopingconcentratie van acceptor
-
(Gemeten in Elektronen per kubieke meter)
- Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
Bulk Fermi-potentieel
-
(Gemeten in Volt)
- Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Dopingconcentratie van acceptor:
1.32 Elektronen per kubieke centimeter --> 1320000 Elektronen per kubieke meter
(Bekijk de conversie
hier
)
Bulk Fermi-potentieel:
0.25 Volt --> 0.25 Volt Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Φ
B0
= -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
*modulus(-2*Φ
f
))) -->
-(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000*
modulus
(-2*0.25)))
Evalueren ... ...
Φ
B0
= -1.57302306783086E-06
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
-1.57302306783086E-06 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
-1.57302306783086E-06
≈
-1.6E-6 Volt
<--
Ingebouwde spanning
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
MOSFET
»
Analoge elektronica
»
MOS-transistor
»
Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio
Credits
Gemaakt door
banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Dipanjona Mallick
Erfgoedinstituut voor technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
MOS-transistor Rekenmachines
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Gaan
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
= -(2*
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
)/(
Eindspanning
-
Initiële spanning
)*(
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
-
Eindspanning
)-
sqrt
(
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
-
Initiële spanning
)))
Fermi-potentieel voor P-type
Gaan
Fermi-potentieel voor P-type
= (
[BoltZ]
*
Absolute temperatuur
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Intrinsieke dragerconcentratie
/
Dopingconcentratie van acceptor
)
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
Gaan
Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit
=
Omtrek van zijwand
*
Zijwandverbindingscapaciteit
*
Equivalentiefactor voor zijwandspanning
Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid
Gaan
Zijwandverbindingscapaciteit
=
Zero Bias zijwandverbindingspotentieel
*
Diepte van zijwand
Bekijk meer >>
Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio Formule
Ingebouwde spanning
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Dopingconcentratie van acceptor
*
modulus
(-2*
Bulk Fermi-potentieel
)))
Φ
B0
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(-2*
Φ
f
)))
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!