Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio Rekenmachine

✖Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van acceptor [N_A]			+10% -10%
✖Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.ⓘ Bulk Fermi-potentieel [Φ_f]			+10% -10%

✖Ingebouwde spanning is een karakteristieke spanning die over een halfgeleiderapparaat bestaat.ⓘ Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio [Φ_B0]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio

Formule

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Voorbeeld

-1.6E-6 V = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32 electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25 V)})

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Ingebouwde spanning = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(-2*Bulk Fermi-potentieel)))
Φ_B0 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(-2*Φ_f)))
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 2 Functies, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)
modulus - De modulus van een getal is de rest wanneer dat getal wordt gedeeld door een ander getal., modulus

Variabelen gebruikt

Ingebouwde spanning - (Gemeten in Volt) - Ingebouwde spanning is een karakteristieke spanning die over een halfgeleiderapparaat bestaat.
Dopingconcentratie van acceptor - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
Bulk Fermi-potentieel - (Gemeten in Volt) - Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Dopingconcentratie van acceptor: 1.32 Elektronen per kubieke centimeter --> 1320000 Elektronen per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Bulk Fermi-potentieel: 0.25 Volt --> 0.25 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

Φ_B0 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(-2*Φ_f))) --> -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(-2*0.25)))

Evalueren ... ...

Φ_B0 = -1.57302306783086E-06

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

-1.57302306783086E-06 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

-1.57302306783086E-06 ≈ -1.6E-6 Volt <-- Ingebouwde spanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » MOS-transistor » Ingebouwd potentieel in de uitputtingsregio

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS-transistor Rekenmachines

Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Gaan Equivalentiefactor voor zijwandspanning = -(2*sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)/(Eindspanning-Initiële spanning)*(sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Eindspanning)-sqrt(Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen-Initiële spanning)))

Fermi-potentieel voor P-type

Gaan Fermi-potentieel voor P-type = ([BoltZ]*Absolute temperatuur)/[Charge-e]*ln(Intrinsieke dragerconcentratie/Dopingconcentratie van acceptor)

Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

Gaan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit = Omtrek van zijwand*Zijwandverbindingscapaciteit*Equivalentiefactor voor zijwandspanning

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

Gaan Zijwandverbindingscapaciteit = Zero Bias zijwandverbindingspotentieel*Diepte van zijwand

Bekijk meer >>