Ingebouwd potentieel Rekenmachine

✖Thermische spanning is de spanning die wordt geproduceerd binnen de pn-overgang.ⓘ Thermische spanning [V_t]			+10% -10%
✖Acceptorconcentratie is de concentratie van gaten in de acceptortoestand.ⓘ Acceptorconcentratie [N_a]			+10% -10%
✖Donorconcentratie is de concentratie van elektronen in de donorstaat.ⓘ Donorconcentratie [N_d]			+10% -10%
✖Intrinsieke elektronenconcentratie wordt gedefinieerd als het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Intrinsieke elektronenconcentratie [n_i]			+10% -10%

✖Ingebouwd potentieel is potentieel binnen de MOSFET.ⓘ Ingebouwd potentieel [ψ_o]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-ontwerpkenmerken Formules Pdf PDF Image

Ingebouwd potentieel Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Ingebouwd potentieel = Thermische spanning*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

ln - De natuurlijke logaritme, ook wel logaritme met grondtal e genoemd, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)

Variabelen gebruikt

Ingebouwd potentieel - (Gemeten in Volt) - Ingebouwd potentieel is potentieel binnen de MOSFET.
Thermische spanning - (Gemeten in Volt) - Thermische spanning is de spanning die wordt geproduceerd binnen de pn-overgang.
Acceptorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie is de concentratie van gaten in de acceptortoestand.
Donorconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Donorconcentratie is de concentratie van elektronen in de donorstaat.
Intrinsieke elektronenconcentratie - Intrinsieke elektronenconcentratie wordt gedefinieerd als het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Thermische spanning: 0.55 Volt --> 0.55 Volt Geen conversie vereist
Acceptorconcentratie: 1100 1 per kubieke meter --> 1100 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Donorconcentratie: 190000000000000 1 per kubieke meter --> 190000000000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Intrinsieke elektronenconcentratie: 17 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Evalueren ... ...

ψ_o = 18.8180761773197

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

18.8180761773197 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

18.8180761773197 ≈ 18.81808 Volt <-- Ingebouwd potentieel

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-ontwerpkenmerken » Ingebouwd potentieel

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< CMOS-ontwerpkenmerken Rekenmachines

Ingebouwd potentieel

LaTeX Gaan Ingebouwd potentieel = Thermische spanning*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))

Verandering in frequentieklok

LaTeX Gaan Verandering in frequentie van de klok = VCO-winst*VCO-stuurspanning

Capaciteit Onpath

LaTeX Gaan Capaciteit op pad = Totale capaciteit in fase-Capaciteit buiten pad

Statische stroom

LaTeX Gaan Statische stroom = Statische kracht/Basiscollectorspanning

Bekijk meer >>

Ingebouwd potentieel Formule

LaTeX Gaan

Ingebouwd potentieel = Thermische spanning*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))
ψ_o = V_t*ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Op welk principe werkt het MOS-diffusiecapaciteitsmodel?

Een MOS-transistor kan worden gezien als een apparaat met vier aansluitingen met capaciteiten tussen elk paar aansluitingen. De poortcapaciteit omvat een intrinsieke component (naar het lichaam, bron en afvoer, of alleen bron, afhankelijk van het bedrijfsregime) en overlappende termen met de bron en afvoer. De source en drain hebben parasitaire diffusiecapaciteit naar het lichaam.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!