GGD rekenmachine

Doorbraakspanning van collector-emitter Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Bipolaire IC-fabricage MOS IC-fabricage Schmitt trigger

✖Collector Base Breakout Voltage is de maximale spanning tussen de collector- en basisterminals van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken.ⓘ Collectorbasis doorbraakspanning [V_cb]			+10% -10%
✖De huidige versterking van BJT wordt gebruikt om de versterkingseigenschappen van de transistor te beschrijven. Het geeft aan hoeveel de collectorstroom wordt versterkt ten opzichte van de basisstroom.ⓘ Huidige winst van BJT [i_g]			+10% -10%
✖Wortelnummer vertegenwoordigt een constante of een factor die verband houdt met de transistor.ⓘ Wortelnummer [n]			+10% -10%

✖Collector-emitter-doorbraakspanning is de spanning tussen de collector- en emitteraansluitingen van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken.ⓘ Doorbraakspanning van collector-emitter [V_ce]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geïntegreerde schakelingen (IC) Formule Pdf PDF Image

Doorbraakspanning van collector-emitter Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)
V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Collector-emitter doorbraakspanning - (Gemeten in Volt) - Collector-emitter-doorbraakspanning is de spanning tussen de collector- en emitteraansluitingen van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken.
Collectorbasis doorbraakspanning - (Gemeten in Volt) - Collector Base Breakout Voltage is de maximale spanning tussen de collector- en basisterminals van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken.
Huidige winst van BJT - (Gemeten in Volt) - De huidige versterking van BJT wordt gebruikt om de versterkingseigenschappen van de transistor te beschrijven. Het geeft aan hoeveel de collectorstroom wordt versterkt ten opzichte van de basisstroom.
Wortelnummer - Wortelnummer vertegenwoordigt een constante of een factor die verband houdt met de transistor.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Collectorbasis doorbraakspanning: 3.52 Volt --> 3.52 Volt Geen conversie vereist
Huidige winst van BJT: 2.8 Volt --> 2.8 Volt Geen conversie vereist
Wortelnummer: 2 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_ce = V_cb/(i_g)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)

Evalueren ... ...

V_ce = 2.10360235242853

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

2.10360235242853 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

2.10360235242853 ≈ 2.103602 Volt <-- Collector-emitter doorbraakspanning

(Berekening voltooid in 00.007 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Doorbraakspanning van collector-emitter

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

LaTeX Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Doorbraakspanning van collector-emitter

LaTeX Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Bekijk meer >>