Doorbraakspanning van collector-emitter Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)
Vce = Vcb/(ig)^(1/n)
Deze formule gebruikt 4 Variabelen
Variabelen gebruikt
Collector-emitter doorbraakspanning - (Gemeten in Volt) - Collector-emitter-doorbraakspanning is de spanning tussen de collector- en emitteraansluitingen van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken.
Collectorbasis doorbraakspanning - (Gemeten in Volt) - Collector Base Breakout Voltage is de maximale spanning tussen de collector- en basisterminals van een bipolaire junctie-transistor zonder een doorslag in de transistor te veroorzaken.
Huidige winst van BJT - (Gemeten in Volt) - De huidige versterking van BJT wordt gebruikt om de versterkingseigenschappen van de transistor te beschrijven. Het geeft aan hoeveel de collectorstroom wordt versterkt ten opzichte van de basisstroom.
Wortelnummer - Wortelnummer vertegenwoordigt een constante of een factor die verband houdt met de transistor.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Collectorbasis doorbraakspanning: 3.52 Volt --> 3.52 Volt Geen conversie vereist
Huidige winst van BJT: 2.8 Volt --> 2.8 Volt Geen conversie vereist
Wortelnummer: 2 --> Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Vce = Vcb/(ig)^(1/n) --> 3.52/(2.8)^(1/2)
Evalueren ... ...
Vce = 2.10360235242853
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
2.10360235242853 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
2.10360235242853 2.103602 Volt <-- Collector-emitter doorbraakspanning
(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Rahul Gupta
Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Parminder Singh
Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))
Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid
​ LaTeX ​ Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)
Onzuiverheid met intrinsieke concentratie
​ LaTeX ​ Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)
Doorbraakspanning van collector-emitter
​ LaTeX ​ Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Doorbraakspanning van collector-emitter Formule

​LaTeX ​Gaan
Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)
Vce = Vcb/(ig)^(1/n)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!