Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT Rekenmachine

✖Netto positieve lading (IGBT) is de totale hoeveelheid positieve lading in het apparaat.ⓘ Netto positieve lading (IGBT) [N_p(igbt)]

+10%

-10%

✖Doorslagspanning SOA IGBT is de maximale spanning die over het apparaat kan worden toegepast zonder dat het defect raakt.ⓘ Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT [BV_soa(igbt)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT

Formule

BV soa(igbt) = \frac{5.34 \cdot 10^{13}}{{(N p(igbt))}^{\frac{3}{4}}}

Voorbeeld

37.53628 V = \frac{5.34 \cdot 10^{13}}{{(16e15 C)}^{\frac{3}{4}}}

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geavanceerde transistorapparaten Formules Pdf PDF Image

Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Doorslagspanning SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading (IGBT))^(3/4))
BV_soa(igbt) = (5.34*10^13)/((N_p(igbt))^(3/4))
Deze formule gebruikt 2 Variabelen

Variabelen gebruikt

Doorslagspanning SOA IGBT - (Gemeten in Volt) - Doorslagspanning SOA IGBT is de maximale spanning die over het apparaat kan worden toegepast zonder dat het defect raakt.
Netto positieve lading (IGBT) - (Gemeten in Coulomb) - Netto positieve lading (IGBT) is de totale hoeveelheid positieve lading in het apparaat.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Netto positieve lading (IGBT): 1.6E+16 Coulomb --> 1.6E+16 Coulomb Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

BV_soa(igbt) = (5.34*10^13)/((N_p(igbt))^(3/4)) --> (5.34*10^13)/((1.6E+16)^(3/4))

Evalueren ... ...

BV_soa(igbt) = 37.5362834564558

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

37.5362834564558 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

37.5362834564558 ≈ 37.53628 Volt <-- Doorslagspanning SOA IGBT

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » IGBT » Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< IGBT Rekenmachines

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

Gaan Spanningsval OP podium (IGBT) = Voorwaartse stroom (IGBT)*N-kanaalweerstand (IGBT)+Voorwaartse stroom (IGBT)*Driftweerstand (IGBT)+Spanning Pn Junction 1 (IGBT)

IGBT-uitschakeltijd

Gaan Uitschakeltijd (IGBT) = Vertragingstijd (IGBT)+Initiële valtijd (IGBT)+Laatste herfsttijd (IGBT)

Ingangscapaciteit van IGBT

Gaan Ingangscapaciteit (IGBT) = Poort-naar-emittercapaciteit (IGBT)+Poort naar collectorcapaciteit (IGBT)

Emitterstroom van IGBT

Gaan Emitterstroom (IGBT) = Gatstroom (IGBT)+Elektronische stroom (IGBT)

Bekijk meer >>