Vertakkende inspanning Rekenmachine

✖Capaciteit Onpath wordt gedefinieerd als de capaciteit langs het analysepad.ⓘ Capaciteit op pad [C_onpath]			+10% -10%
✖Capaciteit Offpath wordt gedefinieerd als de capaciteit van de off-path capaciteit van de logische poort.ⓘ Capaciteit buiten pad [C_offpath]			+10% -10%

✖Vertakking De inspanningsstroom wordt langs het pad geleid dat we analyseren, en een deel wordt van dat pad af geleid.ⓘ Vertakkende inspanning [b]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-ontwerpkenmerken Formules Pdf PDF Image

Vertakkende inspanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Vertakkingsinspanning = (Capaciteit op pad+Capaciteit buiten pad)/Capaciteit op pad
b = (C_onpath+C_offpath)/C_onpath
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Vertakkingsinspanning - Vertakking De inspanningsstroom wordt langs het pad geleid dat we analyseren, en een deel wordt van dat pad af geleid.
Capaciteit op pad - (Gemeten in Picofarad) - Capaciteit Onpath wordt gedefinieerd als de capaciteit langs het analysepad.
Capaciteit buiten pad - (Gemeten in Picofarad) - Capaciteit Offpath wordt gedefinieerd als de capaciteit van de off-path capaciteit van de logische poort.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Capaciteit op pad: 3.2 Picofarad --> 3.2 Picofarad Geen conversie vereist
Capaciteit buiten pad: 9 Picofarad --> 9 Picofarad Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

b = (C_onpath+C_offpath)/C_onpath --> (3.2+9)/3.2

Evalueren ... ...

b = 3.8125

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.8125 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

3.8125 <-- Vertakkingsinspanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-ontwerpkenmerken » Vertakkende inspanning

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< CMOS-ontwerpkenmerken Rekenmachines

Ingebouwd potentieel

LaTeX Gaan Ingebouwd potentieel = Thermische spanning*ln((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Intrinsieke elektronenconcentratie^2))

Verandering in frequentieklok

LaTeX Gaan Verandering in frequentie van de klok = VCO-winst*VCO-stuurspanning

Capaciteit Onpath

LaTeX Gaan Capaciteit op pad = Totale capaciteit in fase-Capaciteit buiten pad

Statische stroom

LaTeX Gaan Statische stroom = Statische kracht/Basiscollectorspanning

Bekijk meer >>

Vertakkende inspanning Formule

LaTeX Gaan

Vertakkingsinspanning = (Capaciteit op pad+Capaciteit buiten pad)/Capaciteit op pad
b = (C_onpath+C_offpath)/C_onpath

Wat is de betekenis van logische inspanning?

Logische inspanning biedt een systematische manier om de snelheid van digitale circuits te analyseren en te optimaliseren, terwijl rekening wordt gehouden met de impact van poortafmetingen, fanout en technologieschaling. Het is een waardevol hulpmiddel voor ontwerpers van digitale circuits om de gewenste balans te bereiken tussen prestaties, oppervlakte en stroomverbruik in moderne geïntegreerde schakelingen.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!