Lichaamseffect bij PMOS Rekenmachine

✖Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.ⓘ Drempelspanning [V_T]			+10% -10%
✖De fabricageprocesparameter is het proces dat begint met de oxidatie van siliciumsubstraat waarbij een relatief dikke oxidelaag op het oppervlak wordt afgezet.ⓘ Fabricageprocesparameter [γ]			+10% -10%
✖Fysieke parameters kunnen worden gebruikt om de toestand van een fysiek systeem te beschrijven, of om de manier te karakteriseren waarop het systeem reageert op verschillende stimuli of invoer.ⓘ Fysieke parameters [φ_f]			+10% -10%
✖De spanning tussen lichaam en bron is belangrijk omdat deze een effect kan hebben op de veilige werking van elektronische apparaten.ⓘ Spanning tussen Lichaam en Bron [V_SB]			+10% -10%

✖Veranderingen in de drempelspanning kunnen worden veroorzaakt door verschillende factoren, waaronder veranderingen in temperatuur, blootstelling aan straling en veroudering.ⓘ Lichaamseffect bij PMOS [ΔV_t]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Lichaamseffect bij PMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))
ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f))
Deze formule gebruikt 1 Functies, 5 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Verandering in drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Veranderingen in de drempelspanning kunnen worden veroorzaakt door verschillende factoren, waaronder veranderingen in temperatuur, blootstelling aan straling en veroudering.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.
Fabricageprocesparameter - De fabricageprocesparameter is het proces dat begint met de oxidatie van siliciumsubstraat waarbij een relatief dikke oxidelaag op het oppervlak wordt afgezet.
Fysieke parameters - (Gemeten in Volt) - Fysieke parameters kunnen worden gebruikt om de toestand van een fysiek systeem te beschrijven, of om de manier te karakteriseren waarop het systeem reageert op verschillende stimuli of invoer.
Spanning tussen Lichaam en Bron - (Gemeten in Volt) - De spanning tussen lichaam en bron is belangrijk omdat deze een effect kan hebben op de veilige werking van elektronische apparaten.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Drempelspanning: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Geen conversie vereist
Fabricageprocesparameter: 0.4 --> Geen conversie vereist
Fysieke parameters: 0.6 Volt --> 0.6 Volt Geen conversie vereist
Spanning tussen Lichaam en Bron: 10 Volt --> 10 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

ΔV_t = V_T+γ*(sqrt(2*φ_f+V_SB)-sqrt(2*φ_f)) --> 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6))

Evalueren ... ...

ΔV_t = 1.60047799645039

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.60047799645039 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.60047799645039 ≈ 1.600478 Volt <-- Verandering in drempelspanning

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » P Kanaalverbetering » Lichaamseffect bij PMOS

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< P Kanaalverbetering Rekenmachines

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

LaTeX Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*((Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))*Spanning tussen afvoer en bron-1/2*(Spanning tussen afvoer en bron)^2)

Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

LaTeX Gaan Afvoerstroom = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(modulus(Effectieve spanning)-1/2*Spanning tussen afvoer en bron)*Spanning tussen afvoer en bron

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

LaTeX Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Spanning tussen poort en bron-modulus(Drempelspanning))^2

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

LaTeX Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2

Bekijk meer >>