Bit capaciteit Rekenmachine

✖De positieve spanning wordt gedefinieerd als de spanning die wordt berekend wanneer het circuit op de voeding wordt aangesloten. Dit wordt meestal Vdd of voeding van het circuit genoemd.ⓘ Positieve spanning [V_dd]			+10% -10%
✖Celcapaciteit is de capaciteit van individuele cellen.ⓘ Celcapaciteit [C_cell]			+10% -10%
✖Voltage Swing on Bitline wordt gedefinieerd als een full-swing lokale bitline SRAM-architectuur, die is gebaseerd op de 22 nm FinFET-technologie voor werking op laagspanning.ⓘ Spanningsschommeling op bitline [ΔV]			+10% -10%

✖Bitcapaciteit is de capaciteit van één bit in cmos vlsi.ⓘ Bit capaciteit [C_bit]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Array Datapath-subsysteem Formules Pdf PDF Image

Bit capaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Beetje capaciteit = ((Positieve spanning*Celcapaciteit)/(2*Spanningsschommeling op bitline))-Celcapaciteit
C_bit = ((V_dd*C_cell)/(2*ΔV))-C_cell
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Beetje capaciteit - (Gemeten in Farad) - Bitcapaciteit is de capaciteit van één bit in cmos vlsi.
Positieve spanning - (Gemeten in Volt) - De positieve spanning wordt gedefinieerd als de spanning die wordt berekend wanneer het circuit op de voeding wordt aangesloten. Dit wordt meestal Vdd of voeding van het circuit genoemd.
Celcapaciteit - (Gemeten in Farad) - Celcapaciteit is de capaciteit van individuele cellen.
Spanningsschommeling op bitline - (Gemeten in Volt) - Voltage Swing on Bitline wordt gedefinieerd als een full-swing lokale bitline SRAM-architectuur, die is gebaseerd op de 22 nm FinFET-technologie voor werking op laagspanning.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Positieve spanning: 2.58 Volt --> 2.58 Volt Geen conversie vereist
Celcapaciteit: 5.98 Picofarad --> 5.98E-12 Farad (Bekijk de conversie hier)
Spanningsschommeling op bitline: 0.42 Volt --> 0.42 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_bit = ((V_dd*C_cell)/(2*ΔV))-C_cell --> ((2.58*5.98E-12)/(2*0.42))-5.98E-12

Evalueren ... ...

C_bit = 1.23871428571429E-11

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.23871428571429E-11 Farad -->12.3871428571429 Picofarad (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

12.3871428571429 ≈ 12.38714 Picofarad <-- Beetje capaciteit

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Array Datapath-subsysteem » Bit capaciteit

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Array Datapath-subsysteem Rekenmachines

Grondcapaciteit

LaTeX Gaan Grondcapaciteit = ((Agressieve spanning*Aangrenzende capaciteit)/Slachtofferspanning)-Aangrenzende capaciteit

'XOR'-vertraging

LaTeX Gaan XOR-vertraging = Rimpel tijd-(Voortplantingsvertraging+(Poorten op kritiek pad-1)*EN-OF Poortvertraging)

Carry-Ripple Adder Kritieke padvertraging

LaTeX Gaan Rimpel tijd = Voortplantingsvertraging+(Poorten op kritiek pad-1)*EN-OF Poortvertraging+XOR-vertraging

N-Bit Carry-Skip-opteller

LaTeX Gaan N-bit Carry Skip-opteller = N-ingang EN-poort*K-ingang EN-poort

Bekijk meer >>

Bit capaciteit Formule

LaTeX Gaan

Beetje capaciteit = ((Positieve spanning*Celcapaciteit)/(2*Spanningsschommeling op bitline))-Celcapaciteit
C_bit = ((V_dd*C_cell)/(2*ΔV))-C_cell

Hoe variëren verschillende capaciteiten in dynamisch RAM of DRAM?

De DRAM-condensatorcel moet fysiek zo klein mogelijk zijn om een goede dichtheid te bereiken. De bitlijn staat echter in contact met veel DRAM-cellen en heeft een relatief grote capaciteit C-bit. Daarom is de celcapaciteit doorgaans veel kleiner dan de bitlijncapaciteit. Een grote celcapaciteit is belangrijk om een redelijke spanningsschommeling te verkrijgen. Het is ook noodzakelijk om de inhoud van de cel gedurende een acceptabele lange tijd vast te houden en zachte fouten te minimaliseren.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!