GGD van drie getallen

Basistransportfactor gegeven basisbreedte Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

Bipolaire IC-fabricage MOS IC-fabricage Schmitt trigger

✖Fysieke breedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied tussen de source- en drainterminals. Deze kanaalbreedte bepaalt het stroomvoerende vermogen van de MOSFET.ⓘ Fysieke breedte [W_p]			+10% -10%
✖Elektronendiffusielengte is een concept dat in de halfgeleiderfysica wordt gebruikt om de gemiddelde afstand te beschrijven die een elektron aflegt voordat het verstrooiing of recombinatie ondergaat.ⓘ Lengte van elektronendiffusie [L_e]			+10% -10%

✖De basistransportfactor vertelt ons welk deel van de elektronenstroom die in de basis wordt geïnjecteerd, daadwerkelijk de collectorovergang bereikt.ⓘ Basistransportfactor gegeven basisbreedte [α_T]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Geïntegreerde schakelingen (IC) Formule Pdf PDF Image

Basistransportfactor gegeven basisbreedte Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)
α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Basistransportfactor - De basistransportfactor vertelt ons welk deel van de elektronenstroom die in de basis wordt geïnjecteerd, daadwerkelijk de collectorovergang bereikt.
Fysieke breedte - (Gemeten in Meter) - Fysieke breedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied tussen de source- en drainterminals. Deze kanaalbreedte bepaalt het stroomvoerende vermogen van de MOSFET.
Lengte van elektronendiffusie - (Gemeten in Meter) - Elektronendiffusielengte is een concept dat in de halfgeleiderfysica wordt gebruikt om de gemiddelde afstand te beschrijven die een elektron aflegt voordat het verstrooiing of recombinatie ondergaat.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Fysieke breedte: 1.532 Meter --> 1.532 Meter Geen conversie vereist
Lengte van elektronendiffusie: 1.2 Meter --> 1.2 Meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

α_T = 1-(1/2*(W_p/L_e)^2) --> 1-(1/2*(1.532/1.2)^2)

Evalueren ... ...

α_T = 0.185061111111111

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.185061111111111 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.185061111111111 ≈ 0.185061 <-- Basistransportfactor

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Geleidbaarheid van N-type

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

LaTeX Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

LaTeX Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Doorbraakspanning van collector-emitter

LaTeX Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Bekijk meer >>