✖De tijd voor de overgang van hoog naar laag van de output verwijst naar de tijd die een signaal aan de uitgangsterminal van een apparaat of circuit nodig heeft om over te gaan van een hoog spanningsniveau naar een laag spanningsniveau.ⓘ Tijd voor overgang van hoog naar laag output [ζ_PHL]			+10% -10%
✖De tijd voor de overgang van laag naar hoog van de output verwijst naar de tijd die een signaal aan de uitgangsterminal van een apparaat of circuit nodig heeft om over te gaan van een laag spanningsniveau naar een hoog spanningsniveau.ⓘ Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output [ζ_PLH]			+10% -10%

✖Gemiddelde voortplantingsvertraging is de tijd die een signaal nodig heeft om van de ingang naar de uitgang van een digitaal circuit te reizen, gemiddeld over meerdere overgangen of bewerkingen.ⓘ Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS [ζ_P]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS

Formule

`"ζ"_{"P"} = ("ζ"_{"PHL"}+"ζ"_{"PLH"})/2`

Voorbeeld

`"0.004236ns"=("0.00229ns"+"0.006182ns")/2`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden CMOS-omvormers Formules Pdf PDF Image

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gemiddelde voortplantingsvertraging = (Tijd voor overgang van hoog naar laag output+Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output)/2
ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gemiddelde voortplantingsvertraging - (Gemeten in Seconde) - Gemiddelde voortplantingsvertraging is de tijd die een signaal nodig heeft om van de ingang naar de uitgang van een digitaal circuit te reizen, gemiddeld over meerdere overgangen of bewerkingen.
Tijd voor overgang van hoog naar laag output - (Gemeten in Seconde) - De tijd voor de overgang van hoog naar laag van de output verwijst naar de tijd die een signaal aan de uitgangsterminal van een apparaat of circuit nodig heeft om over te gaan van een hoog spanningsniveau naar een laag spanningsniveau.
Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output - (Gemeten in Seconde) - De tijd voor de overgang van laag naar hoog van de output verwijst naar de tijd die een signaal aan de uitgangsterminal van een apparaat of circuit nodig heeft om over te gaan van een laag spanningsniveau naar een hoog spanningsniveau.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Tijd voor overgang van hoog naar laag output: 0.00229 nanoseconde --> 2.29E-12 Seconde (Bekijk de conversie hier)
Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output: 0.006182 nanoseconde --> 6.182E-12 Seconde (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2 --> (2.29E-12+6.182E-12)/2

Evalueren ... ...

ζ_P = 4.236E-12

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

4.236E-12 Seconde -->0.004236 nanoseconde (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.004236 nanoseconde <-- Gemiddelde voortplantingsvertraging

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » CMOS-omvormers » Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS

Credits

Gemaakt door Prijanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek (LDCE), Ahmedabad

Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 500+ rekenmachines!

< 16 CMOS-omvormers Rekenmachines

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met lage naar hoge output

Gaan Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output = (Omvormer CMOS-belastingscapaciteit/(Transconductantie van PMOS*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))))*(((2*abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel)))+ln((4*(Voedingsspanning-abs(Drempelspanning van PMOS met lichaamsvooroordeel))/Voedingsspanning)-1))

Voortplantingsvertraging voor CMOS-transitie met hoge naar lage output

Gaan Tijd voor overgang van hoog naar laag output = (Omvormer CMOS-belastingscapaciteit/(Transconductantie van NMOS*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)))*((2*Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning/(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning))+ln((4*(Voedingsspanning-Drempelspanning van NMOS met lichaamsvoorspanning)/Voedingsspanning)-1))

Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale uitgangsspanning = Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-sqrt((Voedingsspanning-Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))^2-(2*Voedingsspanning/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand)))

Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning CMOS = (2*Uitgangsspanning voor maximale invoer+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)-Voedingsspanning+Transconductantieverhouding*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/(1+Transconductantieverhouding)

Drempelspanning CMOS

Gaan Drempelspanning = (Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel+sqrt(1/Transconductantieverhouding)*(Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)))/(1+sqrt(1/Transconductantieverhouding))

Resistieve belasting Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Minimale ingangsspanning = Zero Bias-drempelspanning+sqrt((8*Voedingsspanning)/(3*Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))-(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Minimale ingangsspanning CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning = (Voedingsspanning+(Drempelspanning van PMOS zonder lichaamsvooroordeel)+Transconductantieverhouding*(2*Uitgangsspanning+Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel))/(1+Transconductantieverhouding)

Belastingscapaciteit van gecascadeerde CMOS-omvormer

Gaan Omvormer CMOS-belastingscapaciteit = PMOS Gate-afvoercapaciteit+NMOS Gate Drain-capaciteit+PMOS-afvoerbulkcapaciteit+NMOS-afvoer bulkcapaciteit+Omvormer CMOS interne capaciteit+Omvormer CMOS-poortcapaciteit

Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS

Gaan Resistieve belasting Maximale ingangsspanning CMOS = Zero Bias-drempelspanning+(1/(Transconductantie van NMOS*Belastingsweerstand))

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS

Gaan Gemiddelde voortplantingsvertraging = (Tijd voor overgang van hoog naar laag output+Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output)/2

Gemiddelde vermogensdissipatie CMOS

Gaan Gemiddelde vermogensdissipatie = Omvormer CMOS-belastingscapaciteit*(Voedingsspanning)^2*Frequentie

Maximale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Maximale ingangsspanning Symmetrische CMOS = (3*Voedingsspanning+2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Minimale ingangsspanning voor symmetrische CMOS

Gaan Minimale ingangsspanning Symmetrische CMOS = (5*Voedingsspanning-2*Drempelspanning van NMOS zonder lichaamsvooroordeel)/8

Oscillatieperiode Ringoscillator CMOS

Gaan Oscillatieperiode = 2*Aantal fasen Ringoscillator*Gemiddelde voortplantingsvertraging

Transconductantieverhouding CMOS

Gaan Transconductantieverhouding = Transconductantie van NMOS/Transconductantie van PMOS

Ruismarge voor CMOS met hoog signaal

Gaan Ruismarge voor hoog signaal = Maximale uitgangsspanning-Minimale ingangsspanning

Gemiddelde voortplantingsvertraging CMOS Formule

Gemiddelde voortplantingsvertraging = (Tijd voor overgang van hoog naar laag output+Tijd voor een overgang van laag naar hoog van de output)/2
ζ_P = (ζ_PHL+ζ_PLH)/2

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!