Gebied van bronverspreiding Rekenmachine

✖De lengte van de bron wordt gedefinieerd als de totale lengte die wordt waargenomen bij de bronverbinding van de MOSFET.ⓘ Lengte van de bron [D_s]			+10% -10%
✖Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als de toename in breedte wanneer de drain-naar-source-spanning toeneemt, waardoor het triodegebied overgaat naar het verzadigingsgebied.ⓘ Overgangsbreedte [W]			+10% -10%

✖Gebied van brondiffusie wordt gedefinieerd als de netto beweging van alles van een gebied met een hogere concentratie naar een gebied met een lagere concentratie in de bronpoort.ⓘ Gebied van bronverspreiding [A_s]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

Gebied van bronverspreiding Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte
A_s = D_s*W
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Gebied van bronverspreiding - (Gemeten in Plein Meter) - Gebied van brondiffusie wordt gedefinieerd als de netto beweging van alles van een gebied met een hogere concentratie naar een gebied met een lagere concentratie in de bronpoort.
Lengte van de bron - (Gemeten in Meter) - De lengte van de bron wordt gedefinieerd als de totale lengte die wordt waargenomen bij de bronverbinding van de MOSFET.
Overgangsbreedte - (Gemeten in Meter) - Overgangsbreedte wordt gedefinieerd als de toename in breedte wanneer de drain-naar-source-spanning toeneemt, waardoor het triodegebied overgaat naar het verzadigingsgebied.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Lengte van de bron: 61 Millimeter --> 0.061 Meter (Bekijk de conversie hier)
Overgangsbreedte: 89.82 Millimeter --> 0.08982 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

A_s = D_s*W --> 0.061*0.08982

Evalueren ... ...

A_s = 0.00547902

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.00547902 Plein Meter -->5479.02 Plein Millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

5479.02 Plein Millimeter <-- Gebied van bronverspreiding

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » Gebied van bronverspreiding

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

CMOS kritische spanning

LaTeX Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad

CMOS betekent vrij pad

LaTeX Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld

Breedte van bronverspreiding

LaTeX Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron

Gebied van bronverspreiding

LaTeX Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Bekijk meer >>

Gebied van bronverspreiding Formule

LaTeX Gaan

Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte
A_s = D_s*W

Wat kun je zeggen over het dopingproces in CMOS?

Doping in CMOS is een proces waarbij onzuiverheden in het halfgeleidermateriaal worden geïntroduceerd om de elektrische eigenschappen ervan te wijzigen. Dit proces kan de prestaties van CMOS-apparaten verbeteren door de weerstand te verminderen, de mobiliteit te vergroten en de isolatie tussen verschillende componenten te verbeteren. Doping kan worden uitgevoerd met behulp van verschillende technieken, waaronder implantatie en diffusie.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!