Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal Rekenmachine

✖Electron Mean Free Path dat de gemiddelde afstand vertegenwoordigt die een elektron kan afleggen zonder verstrooiing met onzuiverheden, nederlaag of andere obstakels binnen het solid-state apparaat.ⓘ Elektron gemiddeld vrij pad [λ]			+10% -10%
✖De Process Transconductance Parameter (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ Procestransconductantieparameter [k'_n]			+10% -10%
✖Afvoerstroom is de stroom die vloeit tussen de afvoer- en de bronaansluitingen van een veldeffecttransistor (FET), een type transistor dat gewoonlijk wordt gebruikt in elektronische circuits.ⓘ Afvoerstroom [i_d]			+10% -10%

✖De versterkingsfactor is een maatstaf voor de toename van het vermogen van een elektrisch signaal wanneer het door een apparaat gaat. Het wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de uitgangsamplitude of het vermogen en de ingangsamplitude.ⓘ Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal [A_f]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Versterkingsfactor = 1/Elektron gemiddeld vrij pad*sqrt((2*Procestransconductantieparameter)/Afvoerstroom)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 4 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Versterkingsfactor - De versterkingsfactor is een maatstaf voor de toename van het vermogen van een elektrisch signaal wanneer het door een apparaat gaat. Het wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de uitgangsamplitude of het vermogen en de ingangsamplitude.
Elektron gemiddeld vrij pad - Electron Mean Free Path dat de gemiddelde afstand vertegenwoordigt die een elektron kan afleggen zonder verstrooiing met onzuiverheden, nederlaag of andere obstakels binnen het solid-state apparaat.
Procestransconductantieparameter - (Gemeten in Ampère per vierkante volt) - De Process Transconductance Parameter (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom is de stroom die vloeit tussen de afvoer- en de bronaansluitingen van een veldeffecttransistor (FET), een type transistor dat gewoonlijk wordt gebruikt in elektronische circuits.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Elektron gemiddeld vrij pad: 2.78 --> Geen conversie vereist
Procestransconductantieparameter: 2.1 Ampère per vierkante volt --> 2.1 Ampère per vierkante volt Geen conversie vereist
Afvoerstroom: 0.08 milliampère --> 8E-05 Ampère (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d) --> 1/2.78*sqrt((2*2.1)/8E-05)

Evalueren ... ...

A_f = 82.4204261682705

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

82.4204261682705 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

82.4204261682705 ≈ 82.42043 <-- Versterkingsfactor

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Kleine signaalanalyse » Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< Kleine signaalanalyse Rekenmachines

Uitgangsspanning van klein signaal P-kanaal

LaTeX Gaan Uitgangsspanning = Transconductantie*Bron-naar-poortspanning*((Uitgangsweerstand*Afvoerweerstand)/(Afvoerweerstand+Uitgangsweerstand))

Kleine signaalspanningsversterking met betrekking tot afvoerweerstand

LaTeX Gaan Spanningsversterking = (Transconductantie*((Uitgangsweerstand*Afvoerweerstand)/(Uitgangsweerstand+Afvoerweerstand)))

Transconductantie bij kleine signaalparameters

LaTeX Gaan Transconductantie = 2*Transconductantieparameter*(DC-component van poort-naar-bronspanning-Totale spanning)

Kleine signaaluitgangsspanning

LaTeX Gaan Uitgangsspanning = Transconductantie*Bron-naar-poortspanning*Belastingsweerstand

Bekijk meer >>

Versterkingsfactor voor MOSFET-model met klein signaal Formule

LaTeX Gaan

Versterkingsfactor = 1/Elektron gemiddeld vrij pad*sqrt((2*Procestransconductantieparameter)/Afvoerstroom)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)

Wat is het gebruik van transconductantie in MOSFET?

Transconductantie is een uitdrukking van de prestaties van een bipolaire transistor of veldeffecttransistor (FET). In het algemeen geldt dat hoe groter het transconductantiecijfer voor een apparaat is, hoe groter de versterking (versterking) die het kan leveren, wanneer alle andere factoren constant worden gehouden.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!