कॅलक्यूलेटर ए टू झेड
🔍
डाउनलोड करा PDF
रसायनशास्त्र
अभियांत्रिकी
आर्थिक
आरोग्य
गणित
भौतिकशास्त्र
संख्येची टक्केवारी
साधा अपूर्णांक
लसावि कॅल्क्युलेटर
MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता कॅल्क्युलेटर
अभियांत्रिकी
आरोग्य
आर्थिक
खेळाचे मैदान
अधिक >>
↳
इलेक्ट्रॉनिक्स
इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन
उत्पादन अभियांत्रिकी
दिवाणी
अधिक >>
⤿
इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC)
CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग
अँटेना आणि वेव्ह प्रोपोगेशन
अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स
अधिक >>
⤿
एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन
बायपोलर आयसी फॅब्रिकेशन
श्मिट ट्रिगर
✖
MOSFET मधील ट्रान्सकंडक्टन्स हे मुख्य पॅरामीटर आहे जे इनपुट व्होल्टेज आणि आउटपुट करंट यांच्यातील संबंधांचे वर्णन करते.
ⓘ
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स [g
m
]
मेगासिमेन्स
एमएचओ
मायक्रोमो
मिलिसीमेन्स
सीमेन्स
+10%
-10%
✖
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स म्हणजे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या गेट आणि सोर्स टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्सचा संदर्भ आहे.
ⓘ
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स [C
gs
]
फॅरड
फेमटोफॅरड
किलोफरड
मायक्रोफरॅड
मिलिफरद
नॅनोफरॅड
पिकोफॅरड
+10%
-10%
✖
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स यंत्राच्या गेट आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्सचा संदर्भ देते.
ⓘ
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स [C
gd
]
फॅरड
फेमटोफॅरड
किलोफरड
मायक्रोफरॅड
मिलिफरद
नॅनोफरॅड
पिकोफॅरड
+10%
-10%
✖
MOSFET मधील युनिटी गेन फ्रिक्वेन्सी म्हणजे रेझिस्टिव्ह लोडसह सामान्य-स्रोत कॉन्फिगरेशनमध्ये डिव्हाइसचा व्होल्टेज वाढ 1 (0dB) पर्यंत घसरते.
ⓘ
MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता [f
t
]
बिट्स/ मिनिट
सायकल/सेकंद
फ्रेम्स प्रति सेकंद
गिगाहर्ट्झ
हेक्टोहर्ट्झ
हर्ट्झ
किलोहर्ट्झ
मेगाहर्ट्झ
पेटाहर्टझ
पिकोहर्ट्झ
प्रति तास क्रांती
प्रति मिनिट क्रांती
प्रति सेकंद क्रांती
टेराहर्ट्झ
⎘ कॉपी
पायर्या
👎
सुत्र
LaTeX
रीसेट करा
👍
डाउनलोड करा एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन सूत्रे PDF
MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता उपाय
चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता
=
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
/(
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स
+
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स
)
f
t
=
g
m
/(
C
gs
+
C
gd
)
हे सूत्र
4
व्हेरिएबल्स
वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता
-
(मध्ये मोजली हर्ट्झ)
- MOSFET मधील युनिटी गेन फ्रिक्वेन्सी म्हणजे रेझिस्टिव्ह लोडसह सामान्य-स्रोत कॉन्फिगरेशनमध्ये डिव्हाइसचा व्होल्टेज वाढ 1 (0dB) पर्यंत घसरते.
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
-
(मध्ये मोजली सीमेन्स)
- MOSFET मधील ट्रान्सकंडक्टन्स हे मुख्य पॅरामीटर आहे जे इनपुट व्होल्टेज आणि आउटपुट करंट यांच्यातील संबंधांचे वर्णन करते.
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स
-
(मध्ये मोजली फॅरड)
- गेट सोर्स कॅपेसिटन्स म्हणजे फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) च्या गेट आणि सोर्स टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्सचा संदर्भ आहे.
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स
-
(मध्ये मोजली फॅरड)
- गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स यंत्राच्या गेट आणि ड्रेन टर्मिनल्समधील कॅपेसिटन्सचा संदर्भ देते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स:
2.2 सीमेन्स --> 2.2 सीमेन्स कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स:
56 मायक्रोफरॅड --> 5.6E-05 फॅरड
(रूपांतरण तपासा
येथे
)
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स:
2.8 मायक्रोफरॅड --> 2.8E-06 फॅरड
(रूपांतरण तपासा
येथे
)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
f
t
= g
m
/(C
gs
+C
gd
) -->
2.2/(5.6E-05+2.8E-06)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
f
t
= 37414.9659863946
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
37414.9659863946 हर्ट्झ -->37.4149659863946 किलोहर्ट्झ
(रूपांतरण तपासा
येथे
)
अंतिम उत्तर
37.4149659863946
≈
37.41497 किलोहर्ट्झ
<--
MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता
(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)
आपण येथे आहात
-
होम
»
अभियांत्रिकी
»
इलेक्ट्रॉनिक्स
»
इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC)
»
एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन
»
MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता
जमा
ने निर्मित
बानुप्रकाश
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय
(DSCE)
,
बंगलोर
बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
द्वारे सत्यापित
संतोष यादव
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय
(DSCE)
,
बंगलोर
संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।
<
एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर
MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव
LaTeX
जा
सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
=
शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
+
बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर
*(
sqrt
(2*
बल्क फर्मी पोटेंशियल
+
शरीरावर व्होल्टेज लागू
)-
sqrt
(2*
बल्क फर्मी पोटेंशियल
))
संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह
LaTeX
जा
ड्रेन करंट
=
ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
/2*(
गेट स्त्रोत व्होल्टेज
-
शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
)^2*(1+
चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर
*
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज
)
चॅनेल प्रतिकार
LaTeX
जा
चॅनेल प्रतिकार
=
ट्रान्झिस्टरची लांबी
/
ट्रान्झिस्टरची रुंदी
*1/(
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता
*
वाहक घनता
)
MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता
LaTeX
जा
MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता
=
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
/(
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स
+
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स
)
अजून पहा >>
MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता सुत्र
LaTeX
जा
MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता
=
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
/(
गेट सोर्स कॅपेसिटन्स
+
गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स
)
f
t
=
g
m
/(
C
gs
+
C
gd
)
होम
फुकट पीडीएफ
🔍
शोधा
श्रेण्या
शेयर
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!