छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei
हे सूत्र 1 स्थिर, 4 व्हेरिएबल्स वापरते
सतत वापरलेले
[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज मूल्य घेतले म्हणून 1.60217662E-19
व्हेरिएबल्स वापरलेले
छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते - (मध्ये मोजली अँपिअर प्रति चौरस मीटर) - छिद्रांमुळे प्रवाही प्रवाह घनता म्हणजे विद्युत क्षेत्राच्या प्रभावाखाली अर्धसंवाहक सामग्रीमध्ये चार्ज वाहक (छिद्र) च्या हालचालीचा संदर्भ देते.
भोक एकाग्रता - (मध्ये मोजली इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर) - छिद्र एकाग्रता म्हणजे सामग्रीमध्ये प्रति युनिट व्हॉल्यूम इलेक्ट्रॉनची संख्या.
भोक गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - होल मोबिलिटी या चार्ज वाहकांची विद्युत क्षेत्राच्या प्रतिसादात हालचाल करण्याची क्षमता दर्शवते.
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता - (मध्ये मोजली व्होल्ट प्रति मीटर) - इलेक्ट्रिक फील्ड इंटेन्सिटी ही एक वेक्टर मात्रा आहे जी इतर शुल्कांच्या उपस्थितीमुळे स्पेसमधील दिलेल्या बिंदूवर सकारात्मक चाचणी चार्जद्वारे अनुभवलेल्या शक्तीचे प्रतिनिधित्व करते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
भोक एकाग्रता: 1E+20 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर --> 1E+20 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
भोक गतिशीलता: 400 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 400 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता: 11.2 व्होल्ट प्रति मीटर --> 11.2 व्होल्ट प्रति मीटर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Jp = 71777.512576
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
71777.512576 अँपिअर प्रति चौरस मीटर -->0.071777512576 अँपिअर प्रति चौरस मिलिमीटर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
0.071777512576 0.071778 अँपिअर प्रति चौरस मिलिमीटर <-- छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित बानुप्रकाश
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित संतोष यादव
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव
​ LaTeX ​ जा सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))
संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह
​ LaTeX ​ जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)
चॅनेल प्रतिकार
​ LaTeX ​ जा चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)
MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता
​ LaTeX ​ जा MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते सुत्र

​LaTeX ​जा
छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!