कॅलक्यूलेटर ए टू झेड
🔍
डाउनलोड करा PDF
रसायनशास्त्र
अभियांत्रिकी
आर्थिक
आरोग्य
गणित
भौतिकशास्त्र
टक्केवारी त्रुटी
अपूर्णांकाची वजाबाकी
तीन संख्या चे लसावि
नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली कॅल्क्युलेटर
अभियांत्रिकी
आरोग्य
आर्थिक
खेळाचे मैदान
अधिक >>
↳
इलेक्ट्रॉनिक्स
इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन
उत्पादन अभियांत्रिकी
दिवाणी
अधिक >>
⤿
अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स
CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग
अँटेना आणि वेव्ह प्रोपोगेशन
अॅनालॉग कम्युनिकेशन्स
अधिक >>
⤿
MOSFET
बीजेटी
⤿
एमओएस ट्रान्झिस्टर
MOSFET वैशिष्ट्ये
Transconductance
अंतर्गत कॅपेसिटिव्ह प्रभाव आणि उच्च वारंवारता मॉडेल
अधिक >>
✖
बिल्ट इन जंक्शन पोटेंशियल म्हणजे बाह्य व्होल्टेज स्त्रोताशी कनेक्ट केलेले नसताना अर्धसंवाहक जंक्शनवर अस्तित्वात असलेल्या संभाव्य फरक किंवा व्होल्टेजचा संदर्भ देते.
ⓘ
जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले [Φ
o
]
किलोवोल्ट
मेगाव्होल्ट
मायक्रोव्होल्ट
मिलिव्होल्ट
नॅनोव्होल्ट
प्लांक व्होल्टेज
व्होल्ट
+10%
-10%
✖
ड्रेन सोर्स व्होल्टेज हे ड्रेन आणि स्त्रोत टर्मिनल दरम्यान लागू केलेले व्होल्टेज आहे.
ⓘ
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज [V
DS
]
किलोवोल्ट
मेगाव्होल्ट
मायक्रोव्होल्ट
मिलिव्होल्ट
नॅनोव्होल्ट
प्लांक व्होल्टेज
व्होल्ट
+10%
-10%
✖
डोपिंग कॉन्सन्ट्रेशन ऑफ ॲसेप्टर म्हणजे सेमीकंडक्टर मटेरियलमध्ये जाणूनबुजून जोडलेल्या स्वीकर अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.
ⓘ
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता [N
A
]
इलेक्ट्रॉन्स प्रति घन सेंटीमीटर
इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर
+10%
-10%
✖
गेट टर्मिनलवर व्होल्टेज लागू केल्यावर ड्रेन टर्मिनलच्या जवळ तयार होणारा क्षीणता प्रदेश म्हणजे ड्रेनची खोली.
ⓘ
नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली [x
dD
]
अँगस्ट्रॉम
खगोलीय एकक
सेंटीमीटर
डेसिमीटर
पृथ्वी विषुववृत्तीय त्रिज्या
फर्मी
फूट
इंच
किलोमीटर
प्रकाश वर्ष
मीटर
मायक्रोइंच
मायक्रोमीटर
मायक्रो
माईल
मिलिमीटर
नॅनोमीटर
पिकोमीटर
यार्ड
⎘ कॉपी
पायर्या
👎
सुत्र
LaTeX
रीसेट करा
👍
डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF
नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली उपाय
चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
नाल्याच्या क्षीणतेच्या प्रदेशाची खोली
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले
+
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज
))/(
[Charge-e]
*
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
हे सूत्र
2
स्थिर
,
1
कार्ये
,
4
व्हेरिएबल्स
वापरते
सतत वापरलेले
[Permitivity-silicon]
- सिलिकॉनची परवानगी मूल्य घेतले म्हणून 11.7
[Charge-e]
- इलेक्ट्रॉनचा चार्ज मूल्य घेतले म्हणून 1.60217662E-19
कार्ये वापरली
sqrt
- स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते., sqrt(Number)
व्हेरिएबल्स वापरलेले
नाल्याच्या क्षीणतेच्या प्रदेशाची खोली
-
(मध्ये मोजली मीटर)
- गेट टर्मिनलवर व्होल्टेज लागू केल्यावर ड्रेन टर्मिनलच्या जवळ तयार होणारा क्षीणता प्रदेश म्हणजे ड्रेनची खोली.
जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले
-
(मध्ये मोजली व्होल्ट)
- बिल्ट इन जंक्शन पोटेंशियल म्हणजे बाह्य व्होल्टेज स्त्रोताशी कनेक्ट केलेले नसताना अर्धसंवाहक जंक्शनवर अस्तित्वात असलेल्या संभाव्य फरक किंवा व्होल्टेजचा संदर्भ देते.
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज
-
(मध्ये मोजली व्होल्ट)
- ड्रेन सोर्स व्होल्टेज हे ड्रेन आणि स्त्रोत टर्मिनल दरम्यान लागू केलेले व्होल्टेज आहे.
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
-
(मध्ये मोजली इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर)
- डोपिंग कॉन्सन्ट्रेशन ऑफ ॲसेप्टर म्हणजे सेमीकंडक्टर मटेरियलमध्ये जाणूनबुजून जोडलेल्या स्वीकर अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले:
2 व्होल्ट --> 2 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज:
45 व्होल्ट --> 45 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता:
1.32 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घन सेंटीमीटर --> 1320000 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर
(रूपांतरण तपासा
येथे
)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
x
dD
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ
o
+V
DS
))/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(2+45))/(
[Charge-e]
*1320000))
मूल्यांकन करत आहे ... ...
x
dD
= 72113188.282716
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
72113188.282716 मीटर --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
72113188.282716
≈
7.2E+7 मीटर
<--
नाल्याच्या क्षीणतेच्या प्रदेशाची खोली
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)
आपण येथे आहात
-
होम
»
अभियांत्रिकी
»
इलेक्ट्रॉनिक्स
»
MOSFET
»
अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स
»
एमओएस ट्रान्झिस्टर
»
नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली
जमा
ने निर्मित
बानुप्रकाश
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय
(DSCE)
,
बंगलोर
बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
द्वारे सत्यापित
दिपांजोना मल्लिक
हेरिटेज इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी
(HITK)
,
कोलकाता
दिपांजोना मल्लिक यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।
<
एमओएस ट्रान्झिस्टर कॅल्क्युलेटर
साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक
LaTeX
जा
साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक
= -(2*
sqrt
(
साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले
)/(
अंतिम व्होल्टेज
-
प्रारंभिक व्होल्टेज
)*(
sqrt
(
साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले
-
अंतिम व्होल्टेज
)-
sqrt
(
साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले
-
प्रारंभिक व्होल्टेज
)))
पी प्रकारासाठी फर्मी पोटेंशियल
LaTeX
जा
पी प्रकारासाठी फर्मी पोटेंशियल
= (
[BoltZ]
*
परिपूर्ण तापमान
)/
[Charge-e]
*
ln
(
आंतरिक वाहक एकाग्रता
/
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
)
समतुल्य मोठे सिग्नल जंक्शन कॅपेसिटन्स
LaTeX
जा
समतुल्य मोठे सिग्नल जंक्शन कॅपेसिटन्स
=
साइडवॉलची परिमिती
*
साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स
*
साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक
शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स प्रति युनिट लांबी
LaTeX
जा
साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स
=
शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन संभाव्य
*
साइडवॉलची खोली
अजून पहा >>
नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली सुत्र
LaTeX
जा
नाल्याच्या क्षीणतेच्या प्रदेशाची खोली
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले
+
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज
))/(
[Charge-e]
*
स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
होम
फुकट पीडीएफ
🔍
शोधा
श्रेण्या
शेयर
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!