Funzione di lavoro in MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Funzione di lavoro = Livello di vuoto+(Livello energetico della banda di conduzione-Livello Fermi)
S = +(Ec-EF)
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Funzione di lavoro - (Misurato in Volt) - La funzione lavoro è l'energia necessaria affinché un elettrone si sposti dal livello di Fermi allo spazio libero.
Livello di vuoto - (Misurato in Joule) - Il livello di vuoto è un livello di energia teorico che fornisce una base per comprendere i livelli di energia nelle regioni dei semiconduttori e dei metalli del MOSFET.
Livello energetico della banda di conduzione - (Misurato in Joule) - Il livello energetico della banda di conduzione è una banda energetica all'interno del materiale semiconduttore in cui gli elettroni possono muoversi liberamente e contribuire alla conduzione elettrica.
Livello Fermi - (Misurato in Joule) - Il livello di Fermi rappresenta il livello energetico al quale gli elettroni hanno una probabilità del 50% di essere occupati alla temperatura dello zero assoluto.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Livello di vuoto: 5.1 Electron-Volt --> 8.17110438300004E-19 Joule (Controlla la conversione ​qui)
Livello energetico della banda di conduzione: 3.01 Electron-Volt --> 4.82255376330002E-19 Joule (Controlla la conversione ​qui)
Livello Fermi: 5.24 Electron-Volt --> 8.39540920920004E-19 Joule (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
S = qχ+(Ec-EF) --> 8.17110438300004E-19+(4.82255376330002E-19-8.39540920920004E-19)
Valutare ... ...
S = 4.59824893710002E-19
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
4.59824893710002E-19 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
4.59824893710002E-19 4.6E-19 Volt <-- Funzione di lavoro
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Transistor MOS Calcolatrici

Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
​ LaTeX ​ Partire Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale = -(2*sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali)/(Voltaggio finale-Tensione iniziale)*(sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Voltaggio finale)-sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Tensione iniziale)))
Potenziale di Fermi per il tipo P
​ LaTeX ​ Partire Potenziale di Fermi per il tipo P = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione intrinseca del portatore/Concentrazione antidoping dell'accettore)
Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
​ LaTeX ​ Partire Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni = Perimetro del fianco*Capacità di giunzione della parete laterale*Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza
​ LaTeX ​ Partire Capacità di giunzione della parete laterale = Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero*Profondità del fianco

Funzione di lavoro in MOSFET Formula

​LaTeX ​Partire
Funzione di lavoro = Livello di vuoto+(Livello energetico della banda di conduzione-Livello Fermi)
S = +(Ec-EF)
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