✖L'area di diffusione della sorgente è definita come il movimento netto di qualsiasi cosa da una regione di concentrazione più elevata a una regione di concentrazione inferiore nell'area del gate della sorgente.ⓘ Area di diffusione della sorgente [A_s]			+10% -10%
✖La lunghezza della sorgente è definita come la lunghezza totale osservata nella giunzione della sorgente del MOSFET.ⓘ Lunghezza della fonte [D_s]			+10% -10%

✖La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.ⓘ Larghezza della diffusione della sorgente [W]

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Formula

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Larghezza della diffusione della sorgente

Formula

`"W" = "A"_{"s"}/"D"_{"s"}`

Esempio

`"89.81967mm"="5479mm²"/"61mm"`

Calcolatrice

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Larghezza della diffusione della sorgente Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
W = A_s/D_s
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Larghezza di transizione - (Misurato in metro) - La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.
Area di diffusione della sorgente - (Misurato in Metro quadrato) - L'area di diffusione della sorgente è definita come il movimento netto di qualsiasi cosa da una regione di concentrazione più elevata a una regione di concentrazione inferiore nell'area del gate della sorgente.
Lunghezza della fonte - (Misurato in metro) - La lunghezza della sorgente è definita come la lunghezza totale osservata nella giunzione della sorgente del MOSFET.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Area di diffusione della sorgente: 5479 Piazza millimetrica --> 0.005479 Metro quadrato (Controlla la conversione qui)
Lunghezza della fonte: 61 Millimetro --> 0.061 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

W = A_s/D_s --> 0.005479/0.061

Valutare ... ...

W = 0.0898196721311476

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0898196721311476 metro -->89.8196721311476 Millimetro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

89.8196721311476 ≈ 89.81967 Millimetro <-- Larghezza di transizione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS

Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)

Permittività dello strato di ossido

Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)

Spessore dello strato di ossido

Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso

Larghezza del cancello

Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)

Perimetro laterale della diffusione della sorgente

Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)

Larghezza della regione di svuotamento

Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale

Lunghezza effettiva del canale

Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento

Lunghezza giunzione PN

Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale

Larghezza di transizione del CMOS

Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS

Larghezza della diffusione della sorgente

Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte

Area di diffusione della sorgente

Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione

Campo elettrico critico

Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone

CMOS percorso libero medio

Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico

Tensione critica CMOS

Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio

Tensione al minimo EDP

Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Larghezza della diffusione della sorgente Formula

Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
W = A_s/D_s

Quali sono le applicazioni della diffusione della sorgente?

La diffusione della sorgente è un processo critico nella tecnologia CMOS, con numerose applicazioni. Viene utilizzato per ridurre le dimensioni dei transistor, migliorare le prestazioni dei circuiti consecutivi e aumentare la velocità complessiva dei chip. Inoltre, la diffusione della sorgente facilita l'integrazione di più transistor su un singolo chip, consentendo la fabbricazione di circuiti integrati complessi e ad alta densità.

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