Larghezza del cancello calcolatrice

✖La capacità del gate di ingresso nel CMOS si riferisce alla capacità tra i terminali di ingresso di un circuito CMOS e il potenziale di riferimento (solitamente terra).ⓘ Capacità del gate di ingresso [C_in]			+10% -10%
✖La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità dello strato di ossido di gate [C_ox]			+10% -10%
✖La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.ⓘ Lunghezza del cancello [L_g]			+10% -10%

✖La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.ⓘ Larghezza del cancello [W_g]

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Larghezza del cancello Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
W_g = C_in/(C_ox*L_g)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Larghezza del cancello - (Misurato in Metro) - La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.
Capacità del gate di ingresso - (Misurato in Farad) - La capacità del gate di ingresso nel CMOS si riferisce alla capacità tra i terminali di ingresso di un circuito CMOS e il potenziale di riferimento (solitamente terra).
Capacità dello strato di ossido di gate - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Lunghezza del cancello - (Misurato in Metro) - La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità del gate di ingresso: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità dello strato di ossido di gate: 30.01 Microfarad per millimetro quadrato --> 30.01 Farad per metro quadrato (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del cancello: 7 Millimetro --> 0.007 Metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

W_g = C_in/(C_ox*L_g) --> 6.001E-05/(30.01*0.007)

Valutare ... ...

W_g = 0.000285666682534393

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.000285666682534393 Metro -->0.285666682534393 Millimetro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.285666682534393 ≈ 0.285667 Millimetro <-- Larghezza del cancello

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

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Larghezza del cancello Formula

LaTeX Partire

Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
W_g = C_in/(C_ox*L_g)

Quali sono le regioni di funzionamento nei transistor MOS?

I transistor MOS hanno tre regioni di funzionamento. Sono la regione di taglio o sottosoglia, la regione lineare e la regione di saturazione.

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