✖La capacità del gate di ingresso nel CMOS si riferisce alla capacità tra i terminali di ingresso di un circuito CMOS e il potenziale di riferimento (solitamente terra).ⓘ Capacità del gate di ingresso [C_in]			+10% -10%
✖La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità dello strato di ossido di gate [C_ox]			+10% -10%
✖La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.ⓘ Lunghezza del cancello [L_g]			+10% -10%

✖La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.ⓘ Larghezza del cancello [W_g]

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Formula

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Larghezza del cancello

Formula

`"W"_{"g"} = "C"_{"in"}/("C"_{"ox"}*"L"_{"g"})`

Esempio

`"0.285667mm"="60.01μF"/("30.01μF/mm²"*"7mm")`

Calcolatrice

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Larghezza del cancello Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
W_g = C_in/(C_ox*L_g)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Larghezza del cancello - (Misurato in metro) - La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.
Capacità del gate di ingresso - (Misurato in Farad) - La capacità del gate di ingresso nel CMOS si riferisce alla capacità tra i terminali di ingresso di un circuito CMOS e il potenziale di riferimento (solitamente terra).
Capacità dello strato di ossido di gate - (Misurato in Farad per metro quadrato) - La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Lunghezza del cancello - (Misurato in metro) - La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità del gate di ingresso: 60.01 Microfarad --> 6.001E-05 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità dello strato di ossido di gate: 30.01 Microfarad per millimetro quadrato --> 30.01 Farad per metro quadrato (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del cancello: 7 Millimetro --> 0.007 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

W_g = C_in/(C_ox*L_g) --> 6.001E-05/(30.01*0.007)

Valutare ... ...

W_g = 0.000285666682534393

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.000285666682534393 metro -->0.285666682534393 Millimetro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.285666682534393 ≈ 0.285667 Millimetro <-- Larghezza del cancello

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS

Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)

Permittività dello strato di ossido

Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)

Spessore dello strato di ossido

Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso

Larghezza del cancello

Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)

Perimetro laterale della diffusione della sorgente

Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)

Larghezza della regione di svuotamento

Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale

Lunghezza effettiva del canale

Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento

Lunghezza giunzione PN

Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale

Larghezza di transizione del CMOS

Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS

Larghezza della diffusione della sorgente

Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte

Area di diffusione della sorgente

Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione

Campo elettrico critico

Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone

CMOS percorso libero medio

Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico

Tensione critica CMOS

Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio

Tensione al minimo EDP

Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Larghezza del cancello Formula

Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
W_g = C_in/(C_ox*L_g)

Quali sono le regioni di funzionamento nei transistor MOS?

I transistor MOS hanno tre regioni di funzionamento. Sono la regione di taglio o sottosoglia, la regione lineare e la regione di saturazione.

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