Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON calcolatrice

✖La corrente diretta (IGBT) è la corrente massima che può fluire attraverso il dispositivo quando è acceso.ⓘ Corrente diretta (IGBT) [i_f(igbt)]			+10% -10%
✖La resistenza del canale N (IGBT) è la resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo quando l'IGBT è acceso.ⓘ Resistenza canale N (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%
✖La resistenza alla deriva (IGBT) è la regione di deriva N del materiale semiconduttore nel dispositivo. La regione N-drift è uno spesso silicio drogato che separa il collettore dalla regione P-base.ⓘ Resistenza alla deriva (IGBT) [R_d(igbt)]			+10% -10%
✖La tensione Pn Giunzione 1 (IGBT) è causata dalla potenziale barriera esistente sulla giunzione. Questa potenziale barriera è creata dalla diffusione dei portatori di carica attraverso la giunzione.ⓘ Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT) [V_j1(igbt)]			+10% -10%

✖La caduta di tensione sullo stadio (IGBT) è la differenza di tensione tra i terminali del collettore e dell'emettitore quando l'IGBT è acceso. È materiale semiconduttore nel dispositivo.ⓘ Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON [V_ON(igbt)]

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Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Caduta di tensione sullo stadio (IGBT) = Corrente diretta (IGBT)*Resistenza canale N (IGBT)+Corrente diretta (IGBT)*Resistenza alla deriva (IGBT)+Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT)
V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt)
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Caduta di tensione sullo stadio (IGBT) - (Misurato in Volt) - La caduta di tensione sullo stadio (IGBT) è la differenza di tensione tra i terminali del collettore e dell'emettitore quando l'IGBT è acceso. È materiale semiconduttore nel dispositivo.
Corrente diretta (IGBT) - (Misurato in Ampere) - La corrente diretta (IGBT) è la corrente massima che può fluire attraverso il dispositivo quando è acceso.
Resistenza canale N (IGBT) - (Misurato in Ohm) - La resistenza del canale N (IGBT) è la resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo quando l'IGBT è acceso.
Resistenza alla deriva (IGBT) - (Misurato in Ohm) - La resistenza alla deriva (IGBT) è la regione di deriva N del materiale semiconduttore nel dispositivo. La regione N-drift è uno spesso silicio drogato che separa il collettore dalla regione P-base.
Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT) - (Misurato in Volt) - La tensione Pn Giunzione 1 (IGBT) è causata dalla potenziale barriera esistente sulla giunzione. Questa potenziale barriera è creata dalla diffusione dei portatori di carica attraverso la giunzione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Corrente diretta (IGBT): 1.69 Millampere --> 0.00169 Ampere (Controlla la conversione qui)
Resistenza canale N (IGBT): 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Controlla la conversione qui)
Resistenza alla deriva (IGBT): 0.98 Kilohm --> 980 Ohm (Controlla la conversione qui)
Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT): 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt) --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Valutare ... ...

V_ON(igbt) = 20.2533

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

20.2533 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

20.2533 Volt <-- Caduta di tensione sullo stadio (IGBT)

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Mohamed Fazil V

Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore

Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

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Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON

LaTeX Partire Caduta di tensione sullo stadio (IGBT) = Corrente diretta (IGBT)*Resistenza canale N (IGBT)+Corrente diretta (IGBT)*Resistenza alla deriva (IGBT)+Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT)

Orario di spegnimento dell'IGBT

LaTeX Partire Orario di spegnimento (IGBT) = Tempo di ritardo (IGBT)+Tempo di caduta iniziale (IGBT)+Tempo di caduta finale (IGBT)

Capacità di ingresso dell'IGBT

LaTeX Partire Capacità di ingresso (IGBT) = Capacità da gate a emettitore (IGBT)+Capacità da gate a collettore (IGBT)

Corrente dell'emettitore dell'IGBT

LaTeX Partire Corrente dell'emettitore (IGBT) = Corrente nel buco (IGBT)+Corrente elettronica (IGBT)

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