Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili
Funzioni utilizzate
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
Variabili utilizzate
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Corrente di polarizzazione CC - (Misurato in Ampere) - La corrente di polarizzazione CC è la corrente costante che scorre attraverso un circuito o un dispositivo per stabilire un determinato punto operativo o punto di polarizzazione.
Parametro di transconduttanza di processo - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Soglia di voltaggio: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Corrente di polarizzazione CC: 985 Millampere --> 0.985 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
Parametro di transconduttanza di processo: 2.1 Ampere per Volt Quadrato --> 2.1 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Proporzioni: 0.1 --> Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL)) --> 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1))
Valutare ... ...
Vgs = 5.36283404397829
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.36283404397829 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
5.36283404397829 5.362834 Volt <-- Tensione gate-source
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Voltaggio Calcolatrici

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune
​ LaTeX ​ Partire Tensione di scarico Q1 = -Resistenza di uscita*(Transconduttanza*Segnale di ingresso in modalità comune)/(1+(2*Transconduttanza*Resistenza di uscita))
Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune
​ LaTeX ​ Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita/((1/Transconduttanza)+2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune
Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Tensione di scarico Q1 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)
Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale Formula

​LaTeX ​Partire
Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))
Vgs = Vth+sqrt((2*Ib)/(k'n*WL))

Cos'è la tensione di ingresso differenziale?

La tensione di ingresso differenziale è la tensione massima che può essere fornita ai pin di ingresso (ingresso non invertente) e ingresso (ingresso invertente) senza causare danni o degradare le caratteristiche del circuito integrato.

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