Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale calcolatrice

Tensione gate-source = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni))
V_gs = V_th+sqrt((2*I_b)/(k'_n*WL))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Corrente di polarizzazione CC - (Misurato in Ampere) - La corrente di polarizzazione CC è la corrente costante che scorre attraverso un circuito o un dispositivo per stabilire un determinato punto operativo o punto di polarizzazione.
Parametro di transconduttanza di processo - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente

(Calcolo completato in 00.020 secondi)