Larghezza di transizione del CMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
W = Cmos/Cgs
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Larghezza di transizione - (Misurato in Metro) - La larghezza di transizione è definita come l'aumento di larghezza quando la tensione drain-source aumenta, determinando la transizione della regione del triodo alla regione di saturazione.
Capacità di sovrapposizione del gate MOS - (Misurato in Farad) - La capacità di sovrapposizione del gate MOS è una capacità che deriva dalla costruzione del dispositivo stesso ed è solitamente associata alle sue giunzioni PN interne.
Capacità del gate MOS - (Misurato in Farad) - La capacità di gate MOS è un fattore importante nel calcolo della capacità di sovrapposizione del gate.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Capacità di sovrapposizione del gate MOS: 1.8 Microfarad --> 1.8E-06 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Capacità del gate MOS: 20.04 Microfarad --> 2.004E-05 Farad (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
W = Cmos/Cgs --> 1.8E-06/2.004E-05
Valutare ... ...
W = 0.0898203592814371
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.0898203592814371 Metro -->89.8203592814371 Millimetro (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
89.8203592814371 89.82036 Millimetro <-- Larghezza di transizione
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Larghezza della diffusione della sorgente
​ LaTeX ​ Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
Area di diffusione della sorgente
​ LaTeX ​ Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
CMOS percorso libero medio
​ LaTeX ​ Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico
Tensione critica CMOS
​ LaTeX ​ Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio

Larghezza di transizione del CMOS Formula

​LaTeX ​Partire
Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
W = Cmos/Cgs

Qual è la necessità del doping nel CMOS?

Il drogaggio nella tecnologia CMOS viene utilizzato per introdurre impurità nel materiale semiconduttore per alterarne le proprietà elettriche. Aggiungendo droganti è possibile aumentare il numero di portatori di carica liberi (elettroni o lacune), consentendo un maggiore controllo sul comportamento elettrico del dispositivo. Ciò è essenziale per creare circuiti CMOS ad alte prestazioni che utilizzano transistor sia di tipo n che di tipo p.

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