Frequenza di transizione del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
ft = gm/(2*pi*(Csg+Cgd))
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili
Costanti utilizzate
pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288
Variabili utilizzate
Frequenza di transizione - (Misurato in Hertz) - La frequenza di transizione è un termine che descrive la velocità o la frequenza con cui avviene un cambiamento o una transizione da uno stato all'altro.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Capacità del gate della sorgente - (Misurato in Farad) - La capacità di gate della sorgente è una misura della capacità tra gli elettrodi di source e di gate in un transistor ad effetto di campo (FET).
Capacità di gate-drain - (Misurato in Farad) - La capacità di gate-drain è una capacità parassita che esiste tra gli elettrodi di gate e di drain di un transistor ad effetto di campo (FET).
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Transconduttanza: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Controlla la conversione ​qui)
Capacità del gate della sorgente: 8.16 Microfarad --> 8.16E-06 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Capacità di gate-drain: 7 Microfarad --> 7E-06 Farad (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
ft = gm/(2*pi*(Csg+Cgd)) --> 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06))
Valutare ... ...
ft = 5.24917358482504
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.24917358482504 Hertz --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
5.24917358482504 5.249174 Hertz <-- Frequenza di transizione
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Anshika Arya
Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur
Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Frequenza di transizione del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)
Capacità di sovrapposizione del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione
Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Caratteristiche del MOSFET Calcolatrici

Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*(1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza di uscita))/(1+Transconduttanza*Resistenza alla fonte)
Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione
​ LaTeX ​ Partire Guadagno di tensione massimo = 2*(Tensione di alimentazione-Tensione effettiva)/(Tensione effettiva)
Guadagno di tensione data la tensione di drain
​ LaTeX ​ Partire Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva
Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni
​ LaTeX ​ Partire Guadagno di tensione massimo = (Tensione di alimentazione-0.3)/Tensione termica

Frequenza di transizione del MOSFET Formula

​LaTeX ​Partire
Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
ft = gm/(2*pi*(Csg+Cgd))

Perché il MOSFET viene utilizzato per applicazioni ad alta frequenza?

I MOSFET possono funzionare ad alte frequenze, possono eseguire applicazioni di commutazione rapida con piccole perdite di spegnimento. Rispetto all'IGBT, un MOSFET di potenza presenta i vantaggi di una maggiore velocità di commutazione e di una maggiore efficienza durante il funzionamento a basse tensioni.

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