Tempo di transito del transistor PNP calcolatrice

✖La larghezza della base è un parametro importante che influenza le caratteristiche del transistor, soprattutto in termini di funzionamento e velocità.ⓘ Larghezza della base [W_b]			+10% -10%
✖La costante di diffusione per PNP descrive la facilità con cui questi portatori minoritari si diffondono attraverso il materiale semiconduttore quando viene applicato un campo elettrico.ⓘ Costante di diffusione per PNP [D_p]			+10% -10%

✖Il tempo di transito in un transistor è cruciale poiché determina la frequenza massima alla quale il transistor può funzionare efficacemente.ⓘ Tempo di transito del transistor PNP [τ_f]

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Tempo di transito del transistor PNP Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tempo di transito = Larghezza della base^2/(2*Costante di diffusione per PNP)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tempo di transito - (Misurato in Secondo) - Il tempo di transito in un transistor è cruciale poiché determina la frequenza massima alla quale il transistor può funzionare efficacemente.
Larghezza della base - (Misurato in Metro) - La larghezza della base è un parametro importante che influenza le caratteristiche del transistor, soprattutto in termini di funzionamento e velocità.
Costante di diffusione per PNP - (Misurato in Metro quadro al secondo) - La costante di diffusione per PNP descrive la facilità con cui questi portatori minoritari si diffondono attraverso il materiale semiconduttore quando viene applicato un campo elettrico.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Larghezza della base: 8 Centimetro --> 0.08 Metro (Controlla la conversione qui)
Costante di diffusione per PNP: 100 Centimetro quadrato al secondo --> 0.01 Metro quadro al secondo (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

τ_f = W_b^2/(2*D_p) --> 0.08^2/(2*0.01)

Valutare ... ...

τ_f = 0.32

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.32 Secondo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.32 Secondo <-- Tempo di transito

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Rahul Gupta

Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Ritwik Tripati

Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore

Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

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Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*((Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio))*Tensione tra Drain e Source-1/2*(Tensione tra Drain e Source)^2)

Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(modulus(Tensione effettiva)-1/2*Tensione tra Drain e Source)*Tensione tra Drain e Source

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

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Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

LaTeX Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione effettiva)^2

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