Parametro di transconduttanza del transistor MOS calcolatrice

✖La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione da gate a source.ⓘ Assorbimento di corrente [i_d]			+10% -10%
✖La tensione attraverso l'ossido è dovuta alla carica sull'interfaccia ossido-semiconduttore e il terzo termine è dovuto alla densità di carica nell'ossido.ⓘ Tensione attraverso l'ossido [V_ox]			+10% -10%
✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]			+10% -10%
✖La tensione tra gate e source è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.ⓘ Tensione tra Gate e Source [V_gs]			+10% -10%

✖Il parametro di transconduttanza è il prodotto del parametro di transconduttanza del processo e il rapporto di aspetto del transistor (W/L).ⓘ Parametro di transconduttanza del transistor MOS [K_n]

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Parametro di transconduttanza del transistor MOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Parametro di transconduttanza = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Parametro di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro di transconduttanza è il prodotto del parametro di transconduttanza del processo e il rapporto di aspetto del transistor (W/L).
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione da gate a source.
Tensione attraverso l'ossido - (Misurato in Volt) - La tensione attraverso l'ossido è dovuta alla carica sull'interfaccia ossido-semiconduttore e il terzo termine è dovuto alla densità di carica nell'ossido.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Tensione tra Gate e Source - (Misurato in Volt) - La tensione tra gate e source è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Assorbimento di corrente: 17.5 Millampere --> 0.0175 Ampere (Controlla la conversione qui)
Tensione attraverso l'ossido: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 2 Volt --> 2 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione tra Gate e Source: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs) --> 0.0175/((3.775-2)*3.34)

Valutare ... ...

K_n = 0.00295184279328667

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00295184279328667 Ampere per Volt Quadrato -->2.95184279328667 Milliampere per Volt Quadrato (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

2.95184279328667 ≈ 2.951843 Milliampere per Volt Quadrato <-- Parametro di transconduttanza

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche dell'amplificatore a transistor Calcolatrici

Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

LaTeX Partire Corrente di uscita = (Mobilità dell'elettrone*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio))*Tensione di saturazione tra Drain e Source

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

LaTeX Partire Corrente di drenaggio di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2

Tensione di scarico totale istantanea

LaTeX Partire Tensione di drenaggio istantanea totale = Tensione dei componenti fondamentali-Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente

Tensione di ingresso nel transistor

LaTeX Partire Tensione dei componenti fondamentali = Resistenza allo scarico*Assorbimento di corrente-Tensione di drenaggio istantanea totale

Vedi altro >>

Parametro di transconduttanza del transistor MOS Formula

LaTeX Partire

Parametro di transconduttanza = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source)
K_n = i_d/((V_ox-V_t)*V_gs)

Come aumenti la transconduttanza?

Una figura di merito comune per i FET è la transconduttanza e può essere aumentata riducendo la resistenza del canale attraverso un drogaggio pesante. Ma questa strategia degrada la mobilità degli elettroni a causa della dispersione del vettore da parte delle impurità ionizzate.

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