Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))
Gm = g0*(1-sqrt((Vi-VG)/Vp))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili
Funzioni utilizzate
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
Variabili utilizzate
Transconduttanza del MESFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source.
Conduttanza di uscita - (Misurato in Siemens) - La conduttanza di uscita è un parametro che caratterizza il comportamento di un transistor ad effetto di campo (FET) nella sua regione di saturazione.
Tensione di ingresso - (Misurato in Volt) - La tensione di ingresso è la differenza di potenziale elettrico applicata ai terminali di ingresso di un componente o sistema.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia è definita come la tensione alla quale il transistor inizia a condurre.
Tensione di pinch-off - (Misurato in Volt) - La tensione di pinch-off rappresenta la tensione gate-source alla quale il canale del MESFET si chiude o "si stacca".
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Conduttanza di uscita: 0.152 Siemens --> 0.152 Siemens Nessuna conversione richiesta
Tensione di ingresso: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 1.562 Volt --> 1.562 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di pinch-off: 2.01 Volt --> 2.01 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Gm = g0*(1-sqrt((Vi-VG)/Vp)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))
Valutare ... ...
Gm = 0.0630717433777618
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.0630717433777618 Siemens --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.0630717433777618 0.063072 Siemens <-- Transconduttanza del MESFET
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Amplificatori a transistor Calcolatrici

Frequenza operativa massima
​ LaTeX ​ Partire Frequenza operativa massima = Frequenza di taglio MESFET/2*sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso+Resistenza alla metallizzazione del cancello))
Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET
​ LaTeX ​ Partire Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))
Frequenza di taglio MESFET
​ LaTeX ​ Partire Frequenza di taglio MESFET = Transconduttanza del MESFET/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)
Frequenza massima di oscillazione
​ LaTeX ​ Partire Frequenza massima di oscillazione = Velocità di saturazione/(2*pi*Lunghezza del canale)

Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET Formula

​LaTeX ​Partire
Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))
Gm = g0*(1-sqrt((Vi-VG)/Vp))
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