Transconduttanza nella regione di saturazione calcolatrice

✖La conduttanza di uscita rappresenta la conduttanza drain-source di piccolo segnale del MOSFET quando la tensione gate-source viene mantenuta costante.ⓘ Conduttanza di uscita [G_o]			+10% -10%
✖La barriera potenziale del diodo Schottky è la barriera energetica che esiste all'interfaccia tra un metallo e un materiale semiconduttore in un diodo Schottky.ⓘ Barriera potenziale del diodo Schottky [V_i]			+10% -10%
✖La tensione di gate si riferisce alla tensione applicata al terminale di controllo di un MESFET per regolarne la conduttanza. La tensione di gate determina il numero di portatori di carica liberi nel canale.ⓘ Tensione di porta [V_g]			+10% -10%
✖La tensione di chiusura è la tensione di gate alla quale il canale viene completamente bloccato ed è un parametro chiave nel funzionamento dei FET. È un parametro importante nella progettazione del circuito.ⓘ Interruzione della tensione [V_p]			+10% -10%

✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente drain e la variazione della tensione gate-source, assumendo una tensione drain-source costante.ⓘ Transconduttanza nella regione di saturazione [g_m]

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Transconduttanza nella regione di saturazione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Transconduttanza = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Barriera potenziale del diodo Schottky-Tensione di porta)/Interruzione della tensione))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente drain e la variazione della tensione gate-source, assumendo una tensione drain-source costante.
Conduttanza di uscita - (Misurato in Siemens) - La conduttanza di uscita rappresenta la conduttanza drain-source di piccolo segnale del MOSFET quando la tensione gate-source viene mantenuta costante.
Barriera potenziale del diodo Schottky - (Misurato in Volt) - La barriera potenziale del diodo Schottky è la barriera energetica che esiste all'interfaccia tra un metallo e un materiale semiconduttore in un diodo Schottky.
Tensione di porta - (Misurato in Volt) - La tensione di gate si riferisce alla tensione applicata al terminale di controllo di un MESFET per regolarne la conduttanza. La tensione di gate determina il numero di portatori di carica liberi nel canale.
Interruzione della tensione - (Misurato in Volt) - La tensione di chiusura è la tensione di gate alla quale il canale viene completamente bloccato ed è un parametro chiave nel funzionamento dei FET. È un parametro importante nella progettazione del circuito.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Conduttanza di uscita: 0.174 Siemens --> 0.174 Siemens Nessuna conversione richiesta
Barriera potenziale del diodo Schottky: 15.9 Volt --> 15.9 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di porta: 9.62 Volt --> 9.62 Volt Nessuna conversione richiesta
Interruzione della tensione: 12.56 Volt --> 12.56 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p)) --> 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56))

Valutare ... ...

g_m = 0.0509634200735407

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.0509634200735407 Siemens --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.0509634200735407 ≈ 0.050963 Siemens <-- Transconduttanza

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Sonu Kumar Keshri

Istituto Nazionale di Tecnologia, Patna (PNI), Patna

Sonu Kumar Keshri ha creato questa calcolatrice e altre 5 altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

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Lunghezza del cancello del MESFET

LaTeX Partire Lunghezza del cancello = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Frequenza di taglio)

Frequenza di taglio

LaTeX Partire Frequenza di taglio = Velocità di deriva saturata/(4*pi*Lunghezza del cancello)

Capacità della sorgente di gate

LaTeX Partire Capacità della sorgente di gate = Transconduttanza/(2*pi*Frequenza di taglio)

Transconduttanza nel MESFET

LaTeX Partire Transconduttanza = 2*Capacità della sorgente di gate*pi*Frequenza di taglio

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Transconduttanza nella regione di saturazione Formula

LaTeX Partire

Transconduttanza = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Barriera potenziale del diodo Schottky-Tensione di porta)/Interruzione della tensione))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))

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