Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo calcolatrice

✖Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo [k'_n]			+10% -10%
✖Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgenteⓘ Proporzioni [WL]			+10% -10%
✖La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.ⓘ Tensione gate-source [V_gs]			+10% -10%
✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_th]			+10% -10%

✖La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.ⓘ Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo [g_m]

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Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)
g_m = k'_n*WL*(V_gs-V_th)
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Parametro di transconduttanza di processo - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Proporzioni - Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza di processo: 0.015 Ampere per Volt Quadrato --> 0.015 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Proporzioni: 0.1 --> Nessuna conversione richiesta
Tensione gate-source: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 3.68 Volt --> 3.68 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

g_m = k'_n*WL*(V_gs-V_th) --> 0.015*0.1*(4-3.68)

Valutare ... ...

g_m = 0.00048

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.00048 Siemens -->0.48 Millisiemens (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.48 Millisiemens <-- Transconduttanza

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Anshika Arya

Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

< Transconduttanza Calcolatrici

Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo

LaTeX Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)

Transconduttanza data corrente di drenaggio

LaTeX Partire Transconduttanza = sqrt(2*Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Assorbimento di corrente)

Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

LaTeX Partire Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*Tensione di overdrive

Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

LaTeX Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di overdrive)*Transconduttanza/2

Vedi altro >>

Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo Formula

LaTeX Partire

Transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)
g_m = k'_n*WL*(V_gs-V_th)

Qual è l'uso della transconduttanza nei MOSFET?

La transconduttanza è un'espressione delle prestazioni di un transistor bipolare o transistor ad effetto di campo (FET). In generale, maggiore è il valore di transconduttanza per un dispositivo, maggiore è il guadagno (amplificazione) che è in grado di fornire, quando tutti gli altri fattori sono mantenuti costanti.

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