Capacità totale vista per stadio calcolatrice

✖La capacità sul percorso è definita come la capacità lungo il percorso di analisi.ⓘ Capacità sul percorso [C_onpath]			+10% -10%
✖La capacità fuori percorso è definita come la capacità della capacità fuori percorso della porta logica.ⓘ Capacità fuori percorso [C_offpath]			+10% -10%

✖La capacità totale nello stadio è definita come la capacità totale dello stadio di accensione e spegnimento.ⓘ Capacità totale vista per stadio [C_t]

⎘ Copia

👎

Formula

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Caratteristiche del progetto CMOS Formule PDF PDF Image

Capacità totale vista per stadio Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Capacità totale nello stadio = Capacità sul percorso+Capacità fuori percorso
C_t = C_onpath+C_offpath
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Capacità totale nello stadio - (Misurato in Farad) - La capacità totale nello stadio è definita come la capacità totale dello stadio di accensione e spegnimento.
Capacità sul percorso - (Misurato in Farad) - La capacità sul percorso è definita come la capacità lungo il percorso di analisi.
Capacità fuori percorso - (Misurato in Farad) - La capacità fuori percorso è definita come la capacità della capacità fuori percorso della porta logica.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità sul percorso: 3.2 picofarad --> 3.2E-12 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità fuori percorso: 9 picofarad --> 9E-12 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

C_t = C_onpath+C_offpath --> 3.2E-12+9E-12

Valutare ... ...

C_t = 1.22E-11

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.22E-11 Farad -->12.2 picofarad (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

12.2 picofarad <-- Capacità totale nello stadio

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettronica » Progettazione e applicazioni CMOS » Caratteristiche del progetto CMOS » Capacità totale vista per stadio

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche del progetto CMOS Calcolatrici

Potenziale integrato

LaTeX Partire Potenziale incorporato = Tensione termica*ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))

Modifica della frequenza dell'orologio

LaTeX Partire Modifica della frequenza dell'orologio = Guadagno VCO*Tensione di controllo VCO

Capacità sul percorso

LaTeX Partire Capacità sul percorso = Capacità totale nello stadio-Capacità fuori percorso

Corrente statica

LaTeX Partire Corrente statica = Potenza statica/Tensione del collettore di base

Vedi altro >>

Capacità totale vista per stadio Formula

LaTeX Partire

Capacità totale nello stadio = Capacità sul percorso+Capacità fuori percorso
C_t = C_onpath+C_offpath

Che cos'è lo sforzo di ramificazione?

Lo sforzo di ramificazione è un tipo di sforzo per rendere conto della ramificazione tra le fasi di un percorso. Questo sforzo di ramificazione b è il rapporto tra la capacità totale vista da uno stadio e la capacità sul percorso.

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!