Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale
Cg = Cox*Wc*L
Questa formula utilizza 4 Variabili
Variabili utilizzate
Capacità del canale di gate - (Misurato in Farad) - La capacità del canale di gate si riferisce alla capacità elettrica esistente tra l'elettrodo di gate e la regione del canale di un transistor a effetto di campo (MOSFET) a semiconduttore di ossido di metallo.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Larghezza del canale - (Misurato in Metro) - La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).
Lunghezza del canale - (Misurato in Metro) - La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Capacità dell'ossido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 Metro (Controlla la conversione ​qui)
Lunghezza del canale: 100 Micrometro --> 0.0001 Metro (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Cg = Cox*Wc*L --> 0.00094*1E-05*0.0001
Valutare ... ...
Cg = 9.4E-13
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
9.4E-13 Farad -->9.4E-07 Microfarad (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
9.4E-07 9.4E-7 Microfarad <-- Capacità del canale di gate
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Frequenza di transizione del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)
Capacità di sovrapposizione del MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione
Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET
​ LaTeX ​ Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale

Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET Formula

​LaTeX ​Partire
Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale
Cg = Cox*Wc*L

Spiegare l'intero processo della regione del canale del MOSFET che forma un condensatore a piastre parallele.

Il gate e la regione del canale del MOSFET formano un condensatore a piastre parallele, con lo strato di ossido che funge da dielettrico del condensatore. La tensione di gate positiva provoca l'accumulo di una carica positiva sulla piastra superiore del condensatore (l'elettrodo di gate). La corrispondente carica negativa sulla piastra inferiore è formata dagli elettroni nel canale indotto. Si sviluppa così un campo elettrico in direzione verticale. È questo campo che controlla la quantità di carica nel canale e quindi determina la conduttività del canale e, a sua volta, la corrente che fluirà attraverso il canale quando viene applicata una tensione.

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