Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare calcolatrice

✖La capacità di giunzione si riferisce alla capacità derivante dalla regione di svuotamento tra i terminali source/drain e il substrato.ⓘ Capacità di giunzione [C_j]			+10% -10%
✖Il parametro del processo di transconduttanza è una costante specifica del dispositivo che caratterizza la capacità del transistor di convertire una variazione della tensione di gate in una variazione della corrente di uscita.ⓘ Parametro del processo di transconduttanza [k_n]			+10% -10%
✖La tensione di ingresso è la differenza di potenziale elettrico applicata ai terminali di ingresso di un componente o sistema.ⓘ Tensione di ingresso [V_i]			+10% -10%
✖La tensione di soglia è la tensione gate-source minima richiesta in un MOSFET per accenderlo e consentire il flusso di una corrente significativa.ⓘ Soglia di voltaggio [V_T]			+10% -10%
✖La tensione iniziale si riferisce alla tensione presente in un punto specifico di un circuito all'inizio di una determinata operazione o in condizioni specifiche.ⓘ Tensione iniziale [V₁]			+10% -10%
✖La tensione finale si riferisce al livello di tensione raggiunto o misurato al termine di un particolare processo o evento.ⓘ Voltaggio finale [V₂]			+10% -10%

✖La regione lineare nel ritardo temporale è definita come il ritardo che deriva dalla carica e scarica dei condensatori collegati all'NMOS durante gli eventi di commutazione.ⓘ Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare [t_delay]

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Formula

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Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare

Formula

t delay = - 2 \cdot C j \cdot \int (\frac{1}{k n \cdot (2 \cdot (V i - V T) \cdot x - x^{2})}, x, V 1, V 2)

Esempio

706.5205 s = - 2 \cdot 95009 F \cdot \int (\frac{1}{4.553 A/V² \cdot (2 \cdot (2.25 V - 5.91 V) \cdot x - x^{2})}, x, 5.42 nV, 6.135 nV)

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Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Regione lineare nel ritardo temporale = -2*Capacità di giunzione*int(1/(Parametro del processo di transconduttanza*(2*(Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)*x-x^2)),x,Tensione iniziale,Voltaggio finale)
t_delay = -2*C_j*int(1/(k_n*(2*(V_i-V_T)*x-x^2)),x,V₁,V₂)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 7 Variabili

Funzioni utilizzate

int - L'integrale definito può essere utilizzato per calcolare l'area netta con segno, ovvero l'area sopra l'asse x meno l'area sotto l'asse x., int(expr, arg, from, to)

Variabili utilizzate

Regione lineare nel ritardo temporale - (Misurato in Secondo) - La regione lineare nel ritardo temporale è definita come il ritardo che deriva dalla carica e scarica dei condensatori collegati all'NMOS durante gli eventi di commutazione.
Capacità di giunzione - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione si riferisce alla capacità derivante dalla regione di svuotamento tra i terminali source/drain e il substrato.
Parametro del processo di transconduttanza - (Misurato in Ampere per Volt Quadrato) - Il parametro del processo di transconduttanza è una costante specifica del dispositivo che caratterizza la capacità del transistor di convertire una variazione della tensione di gate in una variazione della corrente di uscita.
Tensione di ingresso - (Misurato in Volt) - La tensione di ingresso è la differenza di potenziale elettrico applicata ai terminali di ingresso di un componente o sistema.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia è la tensione gate-source minima richiesta in un MOSFET per accenderlo e consentire il flusso di una corrente significativa.
Tensione iniziale - (Misurato in Volt) - La tensione iniziale si riferisce alla tensione presente in un punto specifico di un circuito all'inizio di una determinata operazione o in condizioni specifiche.
Voltaggio finale - (Misurato in Volt) - La tensione finale si riferisce al livello di tensione raggiunto o misurato al termine di un particolare processo o evento.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Capacità di giunzione: 95009 Farad --> 95009 Farad Nessuna conversione richiesta
Parametro del processo di transconduttanza: 4.553 Ampere per Volt Quadrato --> 4.553 Ampere per Volt Quadrato Nessuna conversione richiesta
Tensione di ingresso: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione iniziale: 5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt (Controlla la conversione qui)
Voltaggio finale: 6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

t_delay = -2*C_j*int(1/(k_n*(2*(V_i-V_T)*x-x^2)),x,V₁,V₂) --> -2*95009*int(1/(4.553*(2*(2.25-5.91)*x-x^2)),x,5.42E-09,6.135E-09)

Valutare ... ...

t_delay = 706.520454377221

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

706.520454377221 Secondo --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

706.520454377221 ≈ 706.5205 Secondo <-- Regione lineare nel ritardo temporale

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Vignesh Naidu

Vellore Istituto di Tecnologia (VIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu ha creato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< Transistor MOS Calcolatrici

Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Partire Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale = -(2*sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali)/(Voltaggio finale-Tensione iniziale)*(sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Voltaggio finale)-sqrt(Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali-Tensione iniziale)))

Potenziale di Fermi per il tipo P

Partire Potenziale di Fermi per il tipo P = ([BoltZ]*Temperatura assoluta)/[Charge-e]*ln(Concentrazione intrinseca del portatore/Concentrazione antidoping dell'accettore)

Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni

Partire Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni = Perimetro del fianco*Capacità di giunzione della parete laterale*Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale

Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza

Partire Capacità di giunzione della parete laterale = Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero*Profondità del fianco

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