Calcolatore mcm

Soglia di voltaggio calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖La tensione da gate a canale è definita come la resistenza dello stato attivo drain-source è maggiore del valore nominale quando la tensione di gate è intorno alla tensione di soglia.ⓘ Voltaggio da gate a canale [V_gc]			+10% -10%
✖La carica del canale è definita come la forza sperimentata da una materia, quando posta in un campo elettromagnetico.ⓘ Carica del canale [Q_ch]			+10% -10%
✖La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.ⓘ Capacità del cancello [C_g]			+10% -10%

✖La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.ⓘ Soglia di voltaggio [V_t]

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Soglia di voltaggio Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Soglia di voltaggio = Voltaggio da gate a canale-(Carica del canale/Capacità del cancello)
V_t = V_gc-(Q_ch/C_g)
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Voltaggio da gate a canale - (Misurato in Volt) - La tensione da gate a canale è definita come la resistenza dello stato attivo drain-source è maggiore del valore nominale quando la tensione di gate è intorno alla tensione di soglia.
Carica del canale - (Misurato in Coulomb) - La carica del canale è definita come la forza sperimentata da una materia, quando posta in un campo elettromagnetico.
Capacità del cancello - (Misurato in Farad) - La capacità di gate è la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Voltaggio da gate a canale: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Nessuna conversione richiesta
Carica del canale: 0.4 Millicoulomb --> 0.0004 Coulomb (Controlla la conversione qui)
Capacità del cancello: 59.61 Microfarad --> 5.961E-05 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_t = V_gc-(Q_ch/C_g) --> 7.011-(0.0004/5.961E-05)

Valutare ... ...

V_t = 0.300716490521724

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.300716490521724 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.300716490521724 ≈ 0.300716 Volt <-- Soglia di voltaggio

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

LaTeX Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

LaTeX Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

LaTeX Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

LaTeX Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Soglia di voltaggio Formula

LaTeX Partire

Soglia di voltaggio = Voltaggio da gate a canale-(Carica del canale/Capacità del cancello)
V_t = V_gc-(Q_ch/C_g)

Cos'è il modello a canale lungo?

Il modello a canale lungo si riferisce a un'approssimazione utilizzata per analizzare e progettare dispositivi elettronici con lunghezze di canale relativamente grandi, tipicamente nell'ordine dei micrometri. Questo modello semplifica il comportamento del dispositivo trascurando gli effetti del canale corto, rendendolo adatto per la progettazione iniziale e la comprensione delle caratteristiche di base dei transistor nei circuiti VLSI.

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