Tensione termica del CMOS calcolatrice

✖Il potenziale incorporato è il potenziale all'interno del MOSFET.ⓘ Potenziale incorporato [ψ_o]			+10% -10%
✖La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di lacune nello stato dell'accettore.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_a]			+10% -10%
✖La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato donatore.ⓘ Concentrazione dei donatori [N_d]			+10% -10%
✖La concentrazione elettronica intrinseca è definita come il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.ⓘ Concentrazione elettronica intrinseca [n_i]			+10% -10%

✖La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.ⓘ Tensione termica del CMOS [V_t]

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Tensione termica del CMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione termica = Potenziale incorporato/ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 5 Variabili

Funzioni utilizzate

ln - Il logaritmo naturale, noto anche come logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)

Variabili utilizzate

Tensione termica - (Misurato in Volt) - La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.
Potenziale incorporato - (Misurato in Volt) - Il potenziale incorporato è il potenziale all'interno del MOSFET.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di lacune nello stato dell'accettore.
Concentrazione dei donatori - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato donatore.
Concentrazione elettronica intrinseca - La concentrazione elettronica intrinseca è definita come il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Potenziale incorporato: 18.8 Volt --> 18.8 Volt Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dell'accettore: 1100 1 per metro cubo --> 1100 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dei donatori: 190000000000000 1 per metro cubo --> 190000000000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione elettronica intrinseca: 17 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2)) --> 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2))

Valutare ... ...

V_t = 0.549471683639064

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.549471683639064 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.549471683639064 ≈ 0.549472 Volt <-- Tensione termica

(Calcolo completato in 00.008 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Caratteristiche del progetto CMOS Calcolatrici

Potenziale integrato

LaTeX Partire Potenziale incorporato = Tensione termica*ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))

Modifica della frequenza dell'orologio

LaTeX Partire Modifica della frequenza dell'orologio = Guadagno VCO*Tensione di controllo VCO

Capacità sul percorso

LaTeX Partire Capacità sul percorso = Capacità totale nello stadio-Capacità fuori percorso

Corrente statica

LaTeX Partire Corrente statica = Potenza statica/Tensione del collettore di base

Vedi altro >>

Tensione termica del CMOS Formula

LaTeX Partire

Tensione termica = Potenziale incorporato/ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2))
V_t = ψ_o/ln((N_a*N_d)/(n_i^2))

Cos'è la guida?

"Drive" nell'elettronica digitale si riferisce alla capacità di una porta logica o di un circuito di fornire corrente alla sua uscita, influenzando la velocità con cui la tensione di uscita passa tra i livelli logici e svolgendo un ruolo fondamentale nel determinare le prestazioni complessive dei sistemi digitali.

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