Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base
npo = ((ni)^2)/NB
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Concentrazione di equilibrio termico - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di equilibrio termico è definita come la concentrazione di portatori in un amplificatore.
Densità portante intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La densità portante intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Concentrazione drogante della base - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di drogaggio della base è il numero di impurità aggiunte alla base.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Densità portante intrinseca: 4500000000 1 per metro cubo --> 4500000000 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Concentrazione drogante della base: 19 1 per metro cubo --> 19 1 per metro cubo Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
npo = ((ni)^2)/NB --> ((4500000000)^2)/19
Valutare ... ...
npo = 1.06578947368421E+18
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1.06578947368421E+18 1 per metro cubo --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
1.06578947368421E+18 1.1E+18 1 per metro cubo <-- Concentrazione di equilibrio termico
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Capacità di diffusione di piccoli segnali di BJT
​ Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*(Corrente del collettore/Soglia di voltaggio)
Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT
​ Partire Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore
Capacità di diffusione di piccoli segnali
​ Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza
Capacità di giunzione base-emettitore
​ Partire Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore

Circuito BJT Calcolatrici

Potenza totale dissipata in BJT
​ Partire Energia = Tensione collettore-emettitore*Corrente del collettore+Tensione base-emettitore*Corrente di base
Rapporto di reiezione di modo comune
​ Partire Rapporto di reiezione di modo comune = 20*log10(Guadagno in modalità differenziale/Guadagno di modo comune)
Guadagno di corrente a base comune
​ Partire Guadagno di corrente a base comune = Guadagno di corrente dell'emettitore comune/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)
Guadagno intrinseco di BJT
​ Partire Guadagno intrinseco = Tensione iniziale/Tensione termica

Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari Formula

Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base
npo = ((ni)^2)/NB

Qual è la concentrazione del portatore di equilibrio termico?

Il numero di portatori nella banda di conduzione e di valenza senza bias applicato esternamente è chiamato concentrazione del portatore di equilibrio. Per i portatori maggioritari, la concentrazione del portatore di equilibrio è uguale alla concentrazione del portatore intrinseco più il numero di portatori liberi aggiunti drogando il semiconduttore.

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