MCD di tre numeri

Potenziale di superficie calcolatrice

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Ottimizzazione dei materiali VLSI Progettazione VLSI analogica

✖La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.ⓘ Differenza di potenziale del corpo sorgente [V_sb]			+10% -10%
✖La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione dell'accettore [N_A]			+10% -10%
✖La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.ⓘ Concentrazione intrinseca [N_i]			+10% -10%

✖Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.ⓘ Potenziale di superficie [Φ_s]

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Formula

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Potenziale di superficie

Formula

Φ s = 2 \cdot V sb \cdot \ln (\frac{N A}{N i})

Esempio

36.56754 V = 2 \cdot 1.36 V \cdot \ln (\frac{1e+16 /cm³}{1.45e+10 /cm³})

Calcolatrice

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Potenziale di superficie Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Potenziale di superficie = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 4 Variabili

Funzioni utilizzate

ln - Il logaritmo naturale, detto anche logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)

Variabili utilizzate

Potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.
Differenza di potenziale del corpo sorgente - (Misurato in Volt) - La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.
Concentrazione dell'accettore - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.
Concentrazione intrinseca - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Differenza di potenziale del corpo sorgente: 1.36 Volt --> 1.36 Volt Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dell'accettore: 1E+16 1 per centimetro cubo --> 1E+22 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Concentrazione intrinseca: 14500000000 1 per centimetro cubo --> 1.45E+16 1 per metro cubo (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i) --> 2*1.36*ln(1E+22/1.45E+16)

Valutare ... ...

Φ_s = 36.5675358441665

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

36.5675358441665 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

36.5675358441665 ≈ 36.56754 Volt <-- Potenziale di superficie

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici

Coefficiente di effetto corporeo

Partire Coefficiente di effetto corporeo = modulus((Soglia di voltaggio-Tensione di soglia DIBL)/(sqrt(Potenziale di superficie+(Differenza di potenziale del corpo sorgente))-sqrt(Potenziale di superficie)))

Coefficiente DIBL

Partire Coefficiente DIBL = (Tensione di soglia DIBL-Soglia di voltaggio)/Drenare al potenziale di origine

Channel Charge

Partire Carica del canale = Capacità del cancello*(Voltaggio da gate a canale-Soglia di voltaggio)

Tensione critica

Partire Tensione critica = Campo elettrico critico*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Vedi altro >>

Potenziale di superficie Formula

Potenziale di superficie = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)

Perché calcoliamo il potenziale superficiale?

Il potenziale superficiale viene calcolato per determinare il livello di tensione sulla superficie del semiconduttore. Aiuta a valutare le prestazioni del dispositivo, la tensione di soglia e il consumo energetico nei transistor CMOS, aiutando nella progettazione e nell'ottimizzazione dei circuiti.

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