Calcolatrice da A a Z
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Coefficiente di polarizzazione del substrato calcolatrice
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✖
La concentrazione di drogaggio dell'accettore si riferisce alla concentrazione di atomi dell'accettore aggiunti intenzionalmente a un materiale semiconduttore.
ⓘ
Concentrazione antidoping dell'accettore [N
A
]
Elettroni per centimetro cubo
Elettroni per metro cubo
+10%
-10%
✖
La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.
ⓘ
Capacità dell'ossido [C
ox
]
Farad
Femtofarad
kilofarad
Microfarad
Millifrad
Nanofarad
picofarad
+10%
-10%
✖
Il coefficiente di polarizzazione del substrato è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo).
ⓘ
Coefficiente di polarizzazione del substrato [γ
s
]
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Formula
✖
Coefficiente di polarizzazione del substrato
Formula
γ
s
=
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
N
A
C
ox
Esempio
5.7E-7
=
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
1.32 electrons/cm³
3.9 F
Calcolatrice
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Scaricamento MOSFET Formula PDF
Coefficiente di polarizzazione del substrato Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Coefficiente di polarizzazione del substrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
)/
Capacità dell'ossido
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
Questa formula utilizza
2
Costanti
,
1
Funzioni
,
3
Variabili
Costanti utilizzate
[Permitivity-silicon]
- Permittività del silicio Valore preso come 11.7
[Charge-e]
- Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
Funzioni utilizzate
sqrt
- Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
Variabili utilizzate
Coefficiente di polarizzazione del substrato
- Il coefficiente di polarizzazione del substrato è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo).
Concentrazione antidoping dell'accettore
-
(Misurato in Elettroni per metro cubo)
- La concentrazione di drogaggio dell'accettore si riferisce alla concentrazione di atomi dell'accettore aggiunti intenzionalmente a un materiale semiconduttore.
Capacità dell'ossido
-
(Misurato in Farad)
- La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Concentrazione antidoping dell'accettore:
1.32 Elettroni per centimetro cubo --> 1320000 Elettroni per metro cubo
(Controlla la conversione
qui
)
Capacità dell'ossido:
3.9 Farad --> 3.9 Farad Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
γ
s
= sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
)/C
ox
-->
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000)/3.9
Valutare ... ...
γ
s
= 5.70407834987726E-07
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
5.70407834987726E-07 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
5.70407834987726E-07
≈
5.7E-7
<--
Coefficiente di polarizzazione del substrato
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Coefficiente di polarizzazione del substrato
Titoli di coda
Creato da
banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verificato da
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(COLPO)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
<
Transistor MOS Calcolatrici
Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
Partire
Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
= -(2*
sqrt
(
Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali
)/(
Voltaggio finale
-
Tensione iniziale
)*(
sqrt
(
Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali
-
Voltaggio finale
)-
sqrt
(
Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali
-
Tensione iniziale
)))
Potenziale di Fermi per il tipo P
Partire
Potenziale di Fermi per il tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura assoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentrazione intrinseca del portatore
/
Concentrazione antidoping dell'accettore
)
Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
Partire
Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
=
Perimetro del fianco
*
Capacità di giunzione della parete laterale
*
Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza
Partire
Capacità di giunzione della parete laterale
=
Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero
*
Profondità del fianco
Vedi altro >>
Coefficiente di polarizzazione del substrato Formula
Coefficiente di polarizzazione del substrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
)/
Capacità dell'ossido
γ
s
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
)/
C
ox
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