Coefficiente di polarizzazione del substrato calcolatrice

✖La concentrazione di drogaggio dell'accettore si riferisce alla concentrazione di atomi dell'accettore aggiunti intenzionalmente a un materiale semiconduttore.ⓘ Concentrazione antidoping dell'accettore [N_A]			+10% -10%
✖La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.ⓘ Capacità dell'ossido [C_ox]			+10% -10%

✖Il coefficiente di polarizzazione del substrato è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo).ⓘ Coefficiente di polarizzazione del substrato [γ_s]

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Formula

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Coefficiente di polarizzazione del substrato

Formula

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A}}{C ox}

Esempio

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32 electrons/cm³}}{3.9 F}

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Coefficiente di polarizzazione del substrato Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Coefficiente di polarizzazione del substrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore)/Capacità dell'ossido
γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox
Questa formula utilizza 2 Costanti, 1 Funzioni, 3 Variabili

Costanti utilizzate

[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio Valore preso come 11.7
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Funzioni utilizzate

sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)

Variabili utilizzate

Coefficiente di polarizzazione del substrato - Il coefficiente di polarizzazione del substrato è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo).
Concentrazione antidoping dell'accettore - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione di drogaggio dell'accettore si riferisce alla concentrazione di atomi dell'accettore aggiunti intenzionalmente a un materiale semiconduttore.
Capacità dell'ossido - (Misurato in Farad) - La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione antidoping dell'accettore: 1.32 Elettroni per centimetro cubo --> 1320000 Elettroni per metro cubo (Controlla la conversione qui)
Capacità dell'ossido: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox --> sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9

Valutare ... ...

γ_s = 5.70407834987726E-07

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

5.70407834987726E-07 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

5.70407834987726E-07 ≈ 5.7E-7 <-- Coefficiente di polarizzazione del substrato

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta

Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

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