Calcolatrice da A a Z
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La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
ⓘ
Transconduttanza [g
m
]
Megasiemens
Mho
Micromo
Millisiemens
Siemens
+10%
-10%
✖
La tensione source-gate è la differenza di potenziale tra source e gate del transistor.
ⓘ
Sorgente alla tensione di gate [V
sg
]
kilovolt
Megavolt
Microvolt
Millvolt
Nanovolt
Planck di tensione
Volt
+10%
-10%
✖
La resistenza di carico è la resistenza esterna collegata tra il terminale di drain del MOSFET e la tensione di alimentazione.
ⓘ
Resistenza al carico [R
L
]
Kilohm
Megahm
Microhm
Milliohm
Ohm
Volt per Ampere
+10%
-10%
✖
La tensione di uscita è la differenza di potenziale elettrico fornita a un carico da un alimentatore e svolge un ruolo fondamentale nel determinare le prestazioni e l'affidabilità dei sistemi elettronici.
ⓘ
Tensione di uscita del segnale piccolo [V
out
]
kilovolt
Megavolt
Microvolt
Millvolt
Nanovolt
Planck di tensione
Volt
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Formula
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Scaricamento MOSFET Formula PDF
Tensione di uscita del segnale piccolo Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione di uscita
=
Transconduttanza
*
Sorgente alla tensione di gate
*
Resistenza al carico
V
out
=
g
m
*
V
sg
*
R
L
Questa formula utilizza
4
Variabili
Variabili utilizzate
Tensione di uscita
-
(Misurato in Volt)
- La tensione di uscita è la differenza di potenziale elettrico fornita a un carico da un alimentatore e svolge un ruolo fondamentale nel determinare le prestazioni e l'affidabilità dei sistemi elettronici.
Transconduttanza
-
(Misurato in Siemens)
- La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Sorgente alla tensione di gate
-
(Misurato in Volt)
- La tensione source-gate è la differenza di potenziale tra source e gate del transistor.
Resistenza al carico
-
(Misurato in Ohm)
- La resistenza di carico è la resistenza esterna collegata tra il terminale di drain del MOSFET e la tensione di alimentazione.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Transconduttanza:
0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens
(Controlla la conversione
qui
)
Sorgente alla tensione di gate:
20 Volt --> 20 Volt Nessuna conversione richiesta
Resistenza al carico:
0.28 Kilohm --> 280 Ohm
(Controlla la conversione
qui
)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
V
out
= g
m
*V
sg
*R
L
-->
0.0005*20*280
Valutare ... ...
V
out
= 2.8
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
2.8 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
2.8 Volt
<--
Tensione di uscita
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Tensione di uscita del segnale piccolo
Titoli di coda
Creato da
Ritwik Tripati
Vellore Institute of Technology
(VITVellore)
,
Vellore
Ritwik Tripati ha creato questa calcolatrice e altre 10+ altre calcolatrici!
Verificato da
Parminder Singh
Università di Chandigarh
(CU)
,
Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!
<
Analisi di piccoli segnali Calcolatrici
Tensione di uscita del canale P per piccoli segnali
LaTeX
Partire
Tensione di uscita
=
Transconduttanza
*
Sorgente alla tensione di gate
*((
Resistenza di uscita
*
Resistenza allo scarico
)/(
Resistenza allo scarico
+
Resistenza di uscita
))
Guadagno di tensione per piccoli segnali rispetto alla resistenza di drenaggio
LaTeX
Partire
Guadagno di tensione
= (
Transconduttanza
*((
Resistenza di uscita
*
Resistenza allo scarico
)/(
Resistenza di uscita
+
Resistenza allo scarico
)))
Transconduttanza dati parametri di segnale piccolo
LaTeX
Partire
Transconduttanza
= 2*
Parametro di transconduttanza
*(
Componente CC della tensione da gate a sorgente
-
Tensione totale
)
Tensione di uscita del segnale piccolo
LaTeX
Partire
Tensione di uscita
=
Transconduttanza
*
Sorgente alla tensione di gate
*
Resistenza al carico
Vedi altro >>
Tensione di uscita del segnale piccolo Formula
LaTeX
Partire
Tensione di uscita
=
Transconduttanza
*
Sorgente alla tensione di gate
*
Resistenza al carico
V
out
=
g
m
*
V
sg
*
R
L
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