✖La larghezza del canale è definita come la larghezza fisica del canale del semiconduttore tra i terminali di source e drain all'interno della struttura del transistor.ⓘ Larghezza del canale [Wc] | | | +10% -10% |
✖La velocità di deriva degli elettroni di saturazione è definita come la velocità massima raggiunta dagli elettroni in un materiale semiconduttore sotto l'influenza di un campo elettrico.ⓘ Velocità di deriva degli elettroni in saturazione [vd(sat)] | | | +10% -10% |
✖La capacità di ossido per unità di area è definita come la capacità per unità di area dello strato di ossido isolante che separa il gate metallico dal materiale semiconduttore.ⓘ Capacità di ossido per unità di area [Coxide] | | | +10% -10% |
✖La tensione della sorgente di drenaggio di saturazione è definita come la tensione attraverso i terminali di drain e source di un MOSFET quando il transistor funziona in modalità saturazione.ⓘ Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione [VDsat] | | | +10% -10% |