Resistenza del foglio dello strato Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)
Rs = 1/(q*μn*Nd*t)
Questa formula utilizza 5 Variabili
Variabili utilizzate
Resistenza del foglio - (Misurato in Ohm) - La resistenza del foglio è la resistenza di un pezzo quadrato di materiale sottile con contatti effettuati su due lati opposti del quadrato.
Carica - (Misurato in Coulomb) - Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità del silicio con drogaggio elettronico caratterizza la velocità con cui un elettrone può muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore quando viene attratto da un campo elettrico.
Concentrazione di equilibrio di tipo N - (Misurato in 1 per metro cubo) - La concentrazione di equilibrio del tipo N è uguale alla densità degli atomi donatori perché gli elettroni per la conduzione sono forniti esclusivamente dall'atomo donatore.
Spessore dello strato - (Misurato in Metro) - Lo spessore dello strato viene spesso utilizzato per la produzione di parti fuse per garantire che la struttura della parete sia progettata con la giusta quantità di materiale.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Carica: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Controlla la conversione ​qui)
Mobilità del silicio con drogaggio elettronico: 0.38 Centimetro quadrato per Volt Secondo --> 3.8E-05 Metro quadrato per Volt al secondo (Controlla la conversione ​qui)
Concentrazione di equilibrio di tipo N: 45 1 per centimetro cubo --> 45000000 1 per metro cubo (Controlla la conversione ​qui)
Spessore dello strato: 100.5 Centimetro --> 1.005 Metro (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Rs = 1/(q*μn*Nd*t) --> 1/(0.005*3.8E-05*45000000*1.005)
Valutare ... ...
Rs = 0.116377178435309
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.116377178435309 Ohm --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.116377178435309 0.116377 Ohm <-- Resistenza del foglio
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Rahul Gupta
Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab
Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Conduttività di tipo N
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))
Conduttività ohmica delle impurità
​ LaTeX ​ Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)
Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
​ LaTeX ​ Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)
Impurezza con concentrazione intrinseca
​ LaTeX ​ Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Resistenza del foglio dello strato Formula

​LaTeX ​Partire
Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)
Rs = 1/(q*μn*Nd*t)
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