Tensione di saturazione del MOSFET calcolatrice

✖La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.ⓘ Tensione gate-source [V_gs]			+10% -10%
✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_th]			+10% -10%

✖La tensione di saturazione di drain e source è la tensione alla quale il FET non può più funzionare come amplificatore e la sua tensione di uscita si fissa su un valore massimo.ⓘ Tensione di saturazione del MOSFET [V_ds(s)]

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Tensione di saturazione del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio
V_ds(s) = V_gs-V_th
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione di saturazione di drain e source - (Misurato in Volt) - La tensione di saturazione di drain e source è la tensione alla quale il FET non può più funzionare come amplificatore e la sua tensione di uscita si fissa su un valore massimo.
Tensione gate-source - (Misurato in Volt) - La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione gate-source: 4 Volt --> 4 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 2.3 Volt --> 2.3 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_ds(s) = V_gs-V_th --> 4-2.3

Valutare ... ...

V_ds(s) = 1.7

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.7 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1.7 Volt <-- Tensione di saturazione di drain e source

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< Voltaggio Calcolatrici

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune

LaTeX Partire Tensione di scarico Q1 = -Resistenza di uscita*(Transconduttanza*Segnale di ingresso in modalità comune)/(1+(2*Transconduttanza*Resistenza di uscita))

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune

LaTeX Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita/((1/Transconduttanza)+2*Resistenza di uscita))*Segnale di ingresso in modalità comune

Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET

LaTeX Partire Tensione di scarico Q1 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET

LaTeX Partire Tensione di scarico Q2 = -(Resistenza di uscita*Corrente totale)

Vedi altro >>

< Caratteristiche del MOSFET Calcolatrici

Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET

LaTeX Partire Guadagno di tensione = Transconduttanza*(1/(1/Resistenza al carico+1/Resistenza di uscita))/(1+Transconduttanza*Resistenza alla fonte)

Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione

LaTeX Partire Guadagno di tensione massimo = 2*(Tensione di alimentazione-Tensione effettiva)/(Tensione effettiva)

Guadagno di tensione data la tensione di drain

LaTeX Partire Guadagno di tensione = (Assorbimento di corrente*Resistenza al carico*2)/Tensione effettiva

Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni

LaTeX Partire Guadagno di tensione massimo = (Tensione di alimentazione-0.3)/Tensione termica

Vedi altro >>

Tensione di saturazione del MOSFET Formula

LaTeX Partire

Tensione di saturazione di drain e source = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio
V_ds(s) = V_gs-V_th

Qual è la regione di saturazione del MOSFET?

Nella regione di saturazione o lineare, il transistor sarà polarizzato in modo tale che la quantità massima di tensione di gate sia applicata al dispositivo che si traduce nella resistenza del canale RDS (essendo il più piccola possibile con la massima corrente di drain che scorre attraverso l'interruttore MOSFET.

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