Tensione di saturazione dell'IGBT calcolatrice

✖Tensione base emettitore PNP IGBT. Un IGBT è un dispositivo ibrido che combina i vantaggi di un MOSFET e di un BJT.ⓘ Tensione base emettitore PNP IGBT [V_{B-E(pnp)(igbt)}]			+10% -10%
✖La corrente di drain (IGBT) è la corrente che scorre attraverso la giunzione di drain del MOSFET e dell'IGBT.ⓘ Corrente di drenaggio (IGBT) [I_d(igbt)]			+10% -10%
✖Conduttività Resistenza IGBT è la resistenza quando un IGBT è acceso e conduce corrente.ⓘ Conducibilità Resistenza IGBT [R_s(igbt)]			+10% -10%
✖La resistenza del canale N (IGBT) è la resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo quando l'IGBT è acceso.ⓘ Resistenza canale N (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%

✖La tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) di un transistor bipolare a gate isolato è la caduta di tensione attraverso l'IGBT quando è acceso e conduce corrente.ⓘ Tensione di saturazione dell'IGBT [V_{c-e(sat)(igbt)}]

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Formula

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Tensione di saturazione dell'IGBT

Formula

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

Esempio

1222.25 V = 2.15 V + 105 mA \cdot (1.03 kΩ + 10.59 kΩ)

Calcolatrice

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Tensione di saturazione dell'IGBT Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) = Tensione base emettitore PNP IGBT+Corrente di drenaggio (IGBT)*(Conducibilità Resistenza IGBT+Resistenza canale N (IGBT))
V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt))
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) - (Misurato in Volt) - La tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) di un transistor bipolare a gate isolato è la caduta di tensione attraverso l'IGBT quando è acceso e conduce corrente.
Tensione base emettitore PNP IGBT - (Misurato in Volt) - Tensione base emettitore PNP IGBT. Un IGBT è un dispositivo ibrido che combina i vantaggi di un MOSFET e di un BJT.
Corrente di drenaggio (IGBT) - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain (IGBT) è la corrente che scorre attraverso la giunzione di drain del MOSFET e dell'IGBT.
Conducibilità Resistenza IGBT - (Misurato in Ohm) - Conduttività Resistenza IGBT è la resistenza quando un IGBT è acceso e conduce corrente.
Resistenza canale N (IGBT) - (Misurato in Ohm) - La resistenza del canale N (IGBT) è la resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo quando l'IGBT è acceso.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione base emettitore PNP IGBT: 2.15 Volt --> 2.15 Volt Nessuna conversione richiesta
Corrente di drenaggio (IGBT): 105 Millampere --> 0.105 Ampere (Controlla la conversione qui)
Conducibilità Resistenza IGBT: 1.03 Kilohm --> 1030 Ohm (Controlla la conversione qui)
Resistenza canale N (IGBT): 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt)) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Valutare ... ...

V_{c-e(sat)(igbt)} = 1222.25

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1222.25 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1222.25 Volt <-- Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT)

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Mohamed Fazil V

Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore

Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

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Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON

Partire Caduta di tensione sullo stadio (IGBT) = Corrente diretta (IGBT)*Resistenza canale N (IGBT)+Corrente diretta (IGBT)*Resistenza alla deriva (IGBT)+Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT)

Orario di spegnimento dell'IGBT

Partire Orario di spegnimento (IGBT) = Tempo di ritardo (IGBT)+Tempo di caduta iniziale (IGBT)+Tempo di caduta finale (IGBT)

Capacità di ingresso dell'IGBT

Partire Capacità di ingresso (IGBT) = Capacità da gate a emettitore (IGBT)+Capacità da gate a collettore (IGBT)

Corrente dell'emettitore dell'IGBT

Partire Corrente dell'emettitore (IGBT) = Corrente nel buco (IGBT)+Corrente elettronica (IGBT)

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