Tensione di saturazione dell'IGBT Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) = Tensione base emettitore PNP IGBT+Corrente di drenaggio (IGBT)*(Conducibilità Resistenza IGBT+Resistenza canale N (IGBT))
Vc-e(sat)(igbt) = VB-E(pnp)(igbt)+Id(igbt)*(Rs(igbt)+Rch(igbt))
Questa formula utilizza 5 Variabili
Variabili utilizzate
Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) - (Misurato in Volt) - La tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) di un transistor bipolare a gate isolato è la caduta di tensione attraverso l'IGBT quando è acceso e conduce corrente.
Tensione base emettitore PNP IGBT - (Misurato in Volt) - Tensione base emettitore PNP IGBT. Un IGBT è un dispositivo ibrido che combina i vantaggi di un MOSFET e di un BJT.
Corrente di drenaggio (IGBT) - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain (IGBT) è la corrente che scorre attraverso la giunzione di drain del MOSFET e dell'IGBT.
Conducibilità Resistenza IGBT - (Misurato in Ohm) - Conduttività Resistenza IGBT è la resistenza quando un IGBT è acceso e conduce corrente.
Resistenza canale N (IGBT) - (Misurato in Ohm) - La resistenza del canale N (IGBT) è la resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo quando l'IGBT è acceso.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tensione base emettitore PNP IGBT: 2.15 Volt --> 2.15 Volt Nessuna conversione richiesta
Corrente di drenaggio (IGBT): 105 Millampere --> 0.105 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
Conducibilità Resistenza IGBT: 1.03 Kilohm --> 1030 Ohm (Controlla la conversione ​qui)
Resistenza canale N (IGBT): 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vc-e(sat)(igbt) = VB-E(pnp)(igbt)+Id(igbt)*(Rs(igbt)+Rch(igbt)) --> 2.15+0.105*(1030+10590)
Valutare ... ...
Vc-e(sat)(igbt) = 1222.25
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1222.25 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
1222.25 Volt <-- Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT)
(Calcolo completato in 00.020 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Mohamed Fazil V
Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore
Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

IGBT Calcolatrici

Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON
​ LaTeX ​ Partire Caduta di tensione sullo stadio (IGBT) = Corrente diretta (IGBT)*Resistenza canale N (IGBT)+Corrente diretta (IGBT)*Resistenza alla deriva (IGBT)+Tensione Pn Giunzione 1 (IGBT)
Orario di spegnimento dell'IGBT
​ LaTeX ​ Partire Orario di spegnimento (IGBT) = Tempo di ritardo (IGBT)+Tempo di caduta iniziale (IGBT)+Tempo di caduta finale (IGBT)
Capacità di ingresso dell'IGBT
​ LaTeX ​ Partire Capacità di ingresso (IGBT) = Capacità da gate a emettitore (IGBT)+Capacità da gate a collettore (IGBT)
Corrente dell'emettitore dell'IGBT
​ LaTeX ​ Partire Corrente dell'emettitore (IGBT) = Corrente nel buco (IGBT)+Corrente elettronica (IGBT)

Tensione di saturazione dell'IGBT Formula

​LaTeX ​Partire
Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) = Tensione base emettitore PNP IGBT+Corrente di drenaggio (IGBT)*(Conducibilità Resistenza IGBT+Resistenza canale N (IGBT))
Vc-e(sat)(igbt) = VB-E(pnp)(igbt)+Id(igbt)*(Rs(igbt)+Rch(igbt))
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